跻身英伟达核心圈：英诺赛科成800V HVDC联盟唯一中国GaN供应商

【导读】8月1日，英伟达官网更新其800V高压直流（HVDC）电源架构关键合作伙伴名录，中国氮化镓（GaN）技术领军企业英诺赛科（Innoscience）赫然在列。英诺赛科将为英伟达革命性的Kyber机架系统提供全链路氮化镓电源解决方案，成为该名单中唯一入选的中国本土供应商。此重大突破性合作直接推动英诺赛科港股股价在消息公布当日一度飙升近64%，市场反响热烈。

这一合作源于英伟达在5月21日台北国际电脑展（COMPUTEX）期间宣布成立的800V HVDC供应商联盟。该联盟旨在为下一代数据中心构建高效供电基础，被视为实现2027年支持1兆瓦（MW）功率服务器机架目标的关键布局。联盟成员阵容强大，汇聚了英飞凌、MPS、纳微半导体（Navitas）、罗姆、意法半导体、德州仪器等全球顶尖芯片巨头，以及台达、光宝科技、美格纳等知名功率模块厂商，还有伊顿、施耐德电气、维谛技术（Vertiv）等电源系统解决方案领导者。

800V HVDC：AI数据中心的能效革命引擎

当前AI数据中心面临严峻的供电挑战。传统的54V直流配电方案已逼近200kW的功率极限，难以满足如英伟达GB200 NVL72等超大规模AI机架的需求。为支撑兆瓦级运算，传统方案需要大量电源架，挤占宝贵的机房空间，且多次电压转换导致显著能量损耗。

英伟达800V HVDC架构带来颠覆性变革：

  ● **效率颠覆性变革：

  ● 效率跃升： 在数据中心入口处直接将13.8kV高压交流电整流为800V直流电，大幅减少中间转换环节，端到端电源效率提升高达5%。

  ● 空间与成本优化： 显著减少电源单元（PSU）数量，降低散热需求、组件复杂性和维护成本（预计降幅可达70%），并释放更多空间用于核心计算设备。

  ● 配电革新： 800V直流母线槽相比传统415V交流电，在传输同等功率时电流更低，铜材需求锐减45%，并彻底规避交流电的集肤效应和无功损耗问题。

氮化镓技术：赋能高压高效未来的核心

作为高效功率半导体的代表，氮化镓（GaN）因其优异的开关速度、更低的导通损耗和更高的工作温度耐受性，成为实现800V HVDC架构高效率、高功率密度的理想选择。英诺赛科凭借其全链路GaN解决方案获得英伟达认可，标志着中国在第三代半导体核心器件领域的技术实力已达到国际顶尖水平，具备参与定义全球AI基础设施未来标准的资格。

此前，美国纳微半导体（Navitas）也宣布其GaNFast™ 和 GeneSiC™ 技术将支持英伟达Kyber系统，为包括下一代Rubin Ultra GPU在内的硬件供电，该消息曾推动其美股股价单日暴涨164%。英诺赛科的入选，凸显了GaN技术在下一代数据中心供电竞赛中的核心地位，也展现了中国企业在全球高科技供应链关键环节的突破。

“英伟达不仅在构建更快的GPU，更在重新设计整个电源堆栈，以充分释放AI的潜力，”英伟达核心技术杰出工程师马蒂亚斯·布莱克（Mathias Blake）强调。随着英诺赛科等顶尖供应商的加入，800V HVDC架构将加速落地，为全球AI算力的指数级增长构建更强大、更绿色、更高效的能源基石，中国力量在这一变革中正扮演着不可或缺的关键角色。