发布时间：2025-09-25 阅读量：48 来源: 我爱方案网 作者: bebop
直流充电桩与交流充电桩的本质差异在于电能转换拓扑结构与功率传输路径，直接决定了二者在应用场景中的技术边界。直流桩通过内置大功率整流模块，将电网交流电转换为直流电直接输送至动力电池，实现30kW至600kW的高功率快充，专为时间敏感型场景设计；而交流桩依赖车载充电机（OBC）进行交直流转换，受限于OBC功率（通常≤22kW），适用于6-8小时以上的长时间停放场景。
我爱方案网配合原厂发展方案商生态，推荐基于国产高性能MCU开发的直流/交流充电桩方案，方案原理图及源代码开源可交付！
泰为单相计量与多通道漏电检测于一体的电动汽车充电桩方案
该充电桩方案达到国家A类+B类漏电检测和2.0级计量标准，可同时检测充电桩漏电、计量和故障。并且配套开发了后台管理系统、收费系统，采用移动用户端管理，在为电动汽车用户提供了安全便捷的充电设备的同时，帮助客户高效简单地运营整套充电桩系统，方案源代码、原理图开源可交付。
方案技术参数
方案优势：
1、对负载产品的精准计量，计量精度优于国家2.0级标准
2、精准判断供电支路的漏电和短路，及时断开故障支路
3、实时采集周边温湿度信息并上传，对潜在风险提前预判
4、高安全性漏电保护机制，满足国家漏电保护A类+B类标准
5、主回路继电器控制，可实现自动控制
6、预留温度、红外和其它传感器接口，方便进行温度等检测
7、预留GPRS、4G模块接口，方便实现物联组网和数据上传云端
8、具有过载、短路等继电器保护策略，保护设备安全
极海APM32F427海外共享交流充电桩方案
随着全球新能源汽车销量的持续增长及各国政策的积极推动，海外市场对充电桩的需求正加速扩大。极海共享运营/海外交流充电桩应用方案，搭载基于Cortex-M4F内核的APM32F427高性能拓展型MCU，支持240MHz高主频，具备高速运算能力，可精准实现电源管理与充电控制，满足系统高效稳定的运行需求。
方案框图
方案特点：
• 支持OTA升级、协议存储应用和各种算法高效运行；
• 控制多路LED，实现充电状态指示；
• 支持TFT触摸屏显示及人机交互功能；
• 内置NFC芯片/BLE/WiFi模块，支持IC卡/NFC/蓝牙支付，可拓展PLC/Ethernet通讯；与充电枪可选择CAN通讯，也可通过CP/PP信号来实现互动；
• 内置大容量SRAM，可支持多种通信协议；
• 通过QSPI接口，可外挂Nor Flash，保存长时间充电信息记录及状态信息；
• 12-bit ADC*3，采样速率4MSPS，满足充电桩前后级电流电压采样需求；
• 支持LQFP144封装，工作温度-40℃~105℃，抗干扰能力强。
极海APM32F427直流充电桩方案
与交流充电桩相比，直流充电桩凭借其高效充电的特性，能够满足新能源汽车的快速充电需求。同时，共享直流充电桩具备良好的兼容性和适应性，可支持多种不同车型和电池类型的充电。极海共享直流充电桩应用方案，采用APM32F427高性能拓展型MCU，拥有丰富的外设资源，支持多样化通讯交互，具备多种工作模式，可实现灵活的充电桩运行控制。
方案框图
方案特点：
• 交流输入电压为380V：304～456（三相五线制），输出电压为200V~500V，根据电动汽车快充标准进行调节，单枪输出功率为20kW；
• 整机效率≥93%；
• 内部EEPROM,实时把保存数据/状态信息及通用设置保存功能；
• 支持充电状态信息/车辆参数信息实时通过无线传输采集显示；
• 支持独立模块散热更快，可以有效地提高充电模块的电气使用寿命；
• 启动方式支持直接启动/密码启动/刷卡启动/扫描二维码启动；
• 采用砖块电源方式，SIC器件以降低损耗，功率因数≥0.999；
• 器件与模块隔离提供系统可靠性，延长电气寿命；
• 通信协议：Ethernet/4G模块/Ethernet/WiFi/蓝牙/NFC卡等；
• 采用独立计费IC计费。
先楫HPM6800系列MCU凭借高性能、低功耗和丰富外设接口等优势，成为汽车数字仪表解决方案的理想选择
本文将推荐基于瑞芯微RV1126B开发的核心板与开发板，并提供样片申请服务
随着电动车辆市场的快速发展，其核心部件电池在充电管理、共享换电与防盗等方面的精细化管控需求日益突出，成为行业亟待解决的关键问题。专业设计的GPS轨迹追踪定位模块融合了多卫星定位、低功耗算法（如PSM/eDRX）与坚固封装，实现了对锂电池的全球范围、全天候位置感知。
伺服电机是一种能够精确控制位置、速度和加速度的高性能电动机，其核心优势在于采用闭环控制系统，通过实时测量输出并与预期值进行比较，动态调整电流和电压以匹配负载需求，从而实现对运动对象的精准控制。伺服电机不仅具有高稳定性、高精度和快速动态响应能力，还能在负载变化时保持较高的功率效率。由于其机电时间常数小、线性度高，且能够在信号电压为零时无自转，转矩增大时转速匀速下降，伺服电机广泛应用于对运动控制有严格要求的场合。
氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料，凭借其卓越的电子迁移率和热特性，突破了传统硅基半导体在功率密度与转换效率上的限制。相较于硅材料，氮化镓具备更高的耐压能力、更低的导电损耗和MHz级的开关频率，不仅可将导通和开关损耗降低50%–70%，还能大幅减少无源元件体积，使功率密度较传统方案提升2–3倍。这意味着在同等功率下，GaN模块体积可缩小30%–50%，同时发热更少、散热设计更简洁，从而在提升电源系统效率的基础上显著缩小整体尺寸，尤其适用于对空间和能效要求极高的开关电源（SMPS）领域。
