1.5万亿韩元投向中国！三星与SK海力士重金加码中国工厂

导读：在全球人工智能（AI）浪潮推动下，存储芯片需求激增，产能紧张局面持续加剧。作为全球两大存储芯片巨头，三星电子与SK海力士正加速在中国布局——通过大规模投资升级其在西安、无锡和大连的生产基地，以提升NAND Flash与DRAM的先进制程能力及整体产能。

近年来，随着生成式AI、数据中心、智能终端等新兴应用场景爆发，对高性能存储芯片（尤其是DRAM和NAND Flash）的需求迅速攀升。然而，受此前行业周期下行、资本开支收缩等因素影响，全球存储芯片产能一度出现结构性短缺。为应对这一挑战，韩国两大存储芯片龙头——三星电子与SK海力士，正重新评估并加码其海外制造布局，其中中国工厂成为关键一环。

3月25日，据韩国媒体Businesskorea报道，存储芯片大厂三星电子和SK海力士正在对他们在中国的工厂进行大规模设施投资，以同时提升工艺技术和产能。

三星电子和SK海力士正全力调动包括中国工厂在内的所有产能来增加对客户的供应。三星和SK海力士去年合计对中国工厂投资了1.5万亿韩元（约合69亿人民币、10亿美元），希望通过升级当地工厂的NAND Flash和DRAM生产工艺和产能来扩大芯片供应并提高盈利能力。

据韩国金融监督院3月24日发布的数据显示，三星电子去年在其位于中国西安的工厂投资了4654亿韩元（约合3.44亿美元），较上年的2778亿韩元（约合1.85亿美元）大幅增长了67.5%。西安工厂是三星电子唯一的海外NAND Flash生产基地，产量约占其总产量的40%。

报道称，三星电子在 2019 年向西安工厂投资约 6984 亿韩元后，从 2020 年到 2023 年没有进行任何重大投资。但是该公司已恢复 2024 年的投资，投资了 2778 亿韩元，去年又将投资额增加到 4654 亿韩元，用于升级西安工厂的生产线。

同样，SK海力士去年在其位于中国无锡的DRAM生产工厂和位于大连的NAND Flash制造子公司进行了超过1万亿韩元（约合6.66亿美元）的投资。其中，无锡DRAM工厂投资5810亿韩元，较2024年的2873亿韩元增长102%；大连NAND Flash工厂投资4406亿韩元，增长52%。这是SK海力士自2022年收购英特尔大连NAND Flash工厂以来，首次在中国工厂进行万亿韩元规模的投资。

三星电子是全球最大的存储芯片制造商，在DRAM和NAND Flash市场长期占据领先地位。其位于中国西安的工厂自2014年投产以来，已成为该公司唯一的海外NAND生产基地，承担约40%的全球NAND产能。该基地采用先进制程技术，是三星全球供应链中的核心节点。

SK海力士则是全球第二大DRAM供应商，同时也是重要的NAND Flash生产商。自2022年完成对英特尔NAND业务（包括大连工厂）的收购后，SK海力士在中国形成了“无锡+大连”双制造中心格局：无锡主攻DRAM，大连专注NAND Flash。这使其在中国市场的本地化生产能力显著增强。