发布时间：2026-03-26 阅读量：1434 来源: 发布人: suii
中国科学院微电子研究所于3月24日发布讣告，中国杰出的微电子科学家、中国科学院院士吴德馨同志因病医治无效，于3月23日下午在北京逝世，享年90岁。
吴德馨是我国半导体与集成电路研究的开拓者之一，为国家微电子事业发展做出了卓越贡献。在半导体所工作期间，她作为课题负责人承担了解放初期“12年科学规划”中的“平面型高速开关晶体管的研究”，独立自主地解决了提高开关速度的关键问题，开关速度达到当时国际同类产品水平。
该技术在中国科学院109厂和上海器件五厂进行了推广，打破了西方国家对我国的封锁，为“两弹一星”配套的“109丙”计算机提供了核心器件，产生了重大的经济和社会效益，获全国新产品一等奖。
1986年，吴德馨同志调入中国科学院微电子中心任副主任、研究员。作为主要负责人从事N沟MOS 4K、16K和64K动态随机存储器（DRAM）的工艺研究，首次在国内成功研制出4K、16K位DRAM。成功开发出双层多晶硅和差值氧化工艺，打破了我国大规模集成电路成品率长期低下的局面，为我国集成电路的工业生产奠定了基础。
1991年，吴德馨同志担任中国科学院微电子中心主任，领导开发了0.8微米CMOS全套工艺，科研成果和产品开发等效益不断增加，开创了微电子中心发展的新局面。 离开领导岗位的吴德馨并未放松科学研究，她领导科研人员成功研制0.1微米砷化镓/铝镓砷异质结场效应晶体管，在国内首次成功研制出全功能砷化镓/铟镓磷HBT 10Gbps光纤通信光发射驱动电路。
在担任全国人大常委会委员期间，吴德馨同志认真履行代表职责，积极参政议政。她多次向中央领导汇报微电子技术发展趋势并提交建议，参与国家及中国科学院相关发展规划的制定工作，并主持执笔两院院士关于国家集成电路发展的重大咨询报告，为推动我国半导体事业发展做出了重要贡献。
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