三星电子超10万亿韩元投资EUV光刻机，提升1c DRAM与HBM4产能

三星电子确认向ASML订购了约20台用于10nm以下制程的极紫外（EUV）光刻设备，若将深紫外（DUV）设备计入，此次订购的光刻设备总数达到约70台。

据多位半导体行业人士4月6日透露，三星电子已向ASML及日本佳能（Canon）发出采购订单（PO），计划为其平泽园区5号工厂（P5）一期（phase1）第一阶段引入约70台光刻设备。

其中，EUV光刻机约20台，订单金额预计超过10万亿韩元。这些设备将用于提升DRAM专用的10nm级第六代工艺（1c）的产能。随着1c工艺生产效率的提高，基于该工艺制造的第六代高带宽存储（HBM4）产量也将随之增长。

三星电子今年2月已实现HBM4全球首次量产，并向全球最大AI半导体公司英伟达供货。HBM4将搭载于英伟达最新高性能GPU“Rubin”中。业内预计，将于今年下半年正式推出的Rubin将供应给谷歌、亚马逊等美国科技巨头，并带来超过1万亿美元的市场规模。

与此同时，三星电子也在配合Rubin发布节奏，扩大华城H3 17线以及平泽P3、P4工厂的HBM4产能。随着此次订购的EUV设备从ASML陆续导入，三星的DRAM与HBM4产量预计将同步提升，从而进一步巩固其在存储芯片市场的领先地位。

本次订购的光刻设备预计将配合P5一期洁净室（预计明年第一季度建成）投入使用。考虑到半导体设备运输通常需要约一年时间，预计三星将在明年第二季度将包括EUV在内的光刻设备导入P5洁净室。因此，明年上半年其1c DRAM及HBM4产能有望大幅提升。

一位熟悉情况的业内人士表示：“过去新建晶圆厂通常优先布局NAND闪存产线，但此次由于HBM4预期出货量大增，三星决定优先扩建DRAM产线。预计从明年第二季度开始，EUV设备将陆续导入。”

此次设备投资展现了三星在工艺、产品与产能协同上的战略布局——以1c DRAM工艺为基础，通过EUV设备提升制程精度与效率，同步支撑DRAM与HBM4的量产爬坡。