发布时间：2026-04-8 阅读量：2226 来源: 发布人: suii
韩国在高性能化合物半导体器件的本地化方面取得关键进展，打破了该领域长期依赖进口的局面。据悉，韩国纳米技术研究院（KANC）已在4英寸砷化镓（GaAs）变质高电子迁移率晶体管（mHEMT）制造工艺中实现超过95%的良率，标志着该工艺达到适合商业化与量产的稳定水平。
GaAs mHEMT是由多种元素组合而成的化合物半导体器件，被广泛认为是能够克服硅基半导体物理限制的下一代材料平台。与硅相比，GaAs的电子迁移率高出约5~6倍，这使得它在超高频应用中能够实现强放大并最大限度地减少信号失真。
该材料还能满足严苛环境下的严格可靠性要求，包括太空中的强辐射环境，并被应用于国防、航天和下一代通信领域，例如有源电子扫描阵列 (AESA) 雷达和导弹导引头。
然而，GaAs比硅更易碎且加工难度更大，这导致其生产历来局限于较小的2英寸和3英寸晶圆。韩国的制造业基础落后于国内设计能力，导致超过90%的关键组件依赖进口。
KANC在保持95%以上良率的同时，成功过渡到4英寸晶圆平台，提高了生产效率和工艺稳定性，从而支持了韩国的本土化发展。KANC还开始开发用于单片微波集成电路（MMIC）设计的工艺设计套件（PDK），提供用于电路设计和仿真的工艺参数和模型数据。
该平台建成后，有望支持韩国无晶圆厂企业基于KANC的4英寸工艺进行高性能芯片的设计与生产，从而推动本土化合物半导体生态系统的构建。
该机构同时正在筹备多项目晶圆（MPW）服务，允许在同一晶圆上集成多种芯片设计，此举将有效降低小型无晶圆厂企业的原型开发成本、缩短研发周期，并减少对成本更高、交期更长的海外代工厂的依赖。
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