投资约 38.7 亿美元，SK海力士美国厂开始动工！

我爱方案网4月22日消息，集邦咨询（TrendForce）于4月22日发布最新行业报告，确认SK海力士已正式启动其位于美国印第安纳州的首座半导体先进封装工厂建设计划。该项目总投资额约为38.7亿美元（约合人民币264.57亿元），标志着SK海力士在北美半导体供应链布局上的重大实质性进展。

据悉，该工厂已于4月17日通知当地社区启动地基打桩作业，预计将于2026年下半年进入主体结构施工阶段，并计划于2028年下半年正式投产。作为SK海力士应对全球AI算力激增的关键举措，该工厂将专注于下一代高带宽内存（HBM）的封装，主力产品锁定为第七代HBM4E及第八代HBM5，旨在通过强化先进封装产能，进一步巩固其在高端AI存储市场的核心地位。

除美国扩张外，SK 海力士同步加码韩国本土产能。公司计划投资约 19 万亿韩元在清州建设下一代先进封装工厂（P&T7），预计 2027 年底完工。

此外，DRAM产能扩张也在稳步推进：清州M15X工厂在3月启用第四阶段洁净室后将随即启动设备安装，而龙仁半导体集群的首座晶圆厂洁净室也计划于2027年2月完工。这一系列密集的投资与建设动作，显示了SK海力士在“美国封装+韩国制造”的双轨战略下，正全力提升其在后摩尔时代的半导体制造竞争力。