佰维存储发布工业宽温级eMMC新品TGE408：自研主控芯片和自研固件算法！

我爱方案网4月23日消息，佰维存储（BIWIN）于昨日正式发布了其最新研发的工业宽温级eMMC嵌入式存储产品——TGE408。这款新品标志着佰维存储在核心技术自主化道路上迈出了关键一步，其创新性地采用了本土NAND闪存颗粒，并深度融合了公司自主研发的主控芯片与固件算法，从而实现了从芯片设计到生产制造的全流程本土化，为工业级存储市场提供了安全、可靠的国产化解决方案。

资料显示，TGE408 采用 FBGA 153 Ball 封装设计，遵循 eMMC 5.1 协议并支持 HS400 高速模式，可在 -40℃ ~ +85℃ 宽温域内稳定工作，顺序读取速率至高可达 330MB/s、顺序写入速率至高可达 220MB/s。

为了满足不同应用场景的差异化需求，TGE408提供了pSLC和标准TLC两种版本：搭载Win-pSLC固件技术的pSLC版本（8GB/16GB）写入耐久度高达10万次P/E循环，而标准TLC版本（64GB/128GB）的写入耐久度也达到了3000次P/E，充分展现了其在高可靠性与长寿命方面的强大实力。