亚洲实现首个8nm eMRAM AI芯片流片成功！

近日，国产AI芯片企业寒序科技（ICY Tech）联合三星生态设计伙伴SEMIFIVE，基于三星8nm eMRAM工艺成功完成边缘AI芯片流片；作为亚洲首个8nm嵌入式MRAM（eMRAM）商业化部署案例，该芯片由寒序科技主导底层核心技术研发，标志着国产AI芯片在先进存储与存算架构领域取得重大突破。

作为项目核心技术提供方，寒序科技凭借在MRAM定制开发与存算架构的深厚积累，成功进入三星稀缺的8nm eMRAM工艺窗口。不同于常规ASIC项目，寒序全程主导MRAM比特单元、外围电路、高带宽读出及大模型推理算子加速等底层方案设计；SEMIFIVE则负责后端硅实现与MPW流片支持，形成“底层架构自研+国际生态落地”的独特合作模式，彻底摆脱标准IP调用的局限。

技术层面，寒序科技创新采用“MRAM+SRAM”混合存储架构，直击传统AI芯片“内存墙”痛点。该方案用eMRAM替代大规模片上SRAM，解决工艺缩微后SRAM面积效率低、功耗高的难题；结合近内存处理（PNM）架构与GEMV计算，加速Transformer推理关键算子，可支持20亿参数大模型端侧运行，性能对标国际顶尖推理芯片路线，且在存储密度与能效上实现超越。

这款芯片聚焦私有AI Agent、人形机器人等端侧场景，同时适配具身智能与云端推理中心，可作为GPU/HBM体系外的高能效推理加速模块。eMRAM兼具非易失、高带宽、低功耗特性，无需刷新即可长期保存数据，单元尺寸远小于SRAM，特别适合功耗与空间受限的边缘设备，为国产端侧AI应用提供核心算力支撑。

此次流片成功，是寒序科技依托北京大学物理学院应用磁学中心长期技术积累，在自旋电子学与存算一体领域实现的重要突破。作为国产AI芯片领域的新兴力量，寒序科技坚持以底层技术创新为核心竞争力。

该突破不仅巩固了其在MRAM存算融合架构中的领先地位，更有力推动了国产AI芯片产业从应用层开发向底层核心技术攻关的关键跨越，为亚洲地区先进存储技术与AI算力基础设施的融合发展注入了新的动力。