重磅！英诺赛科胜诉：ITC 终裁确认可继续在美进口、销售 GaN 功率器件，不受英飞凌诉讼影响

我爱方案网5月8日消息，氮化镓（GaN）领域的领军企业英诺赛科今日宣布，美国国际贸易委员会（ITC）在第 337‑TA‑1414 号调查中作出最终裁定，确认英诺赛科当前的氮化镓 GaN 功率器件产品未侵犯英飞凌的相关专利，并可不受限制地继续在美国进口和销售。

据了解，本次裁决源于2024年，全球功率半导体巨头英飞凌向美国国际贸易委员会（ITC）提起第 337-TA-1414 号调查申请，指控英诺赛科的部分半导体器件侵犯了其专利权，并试图寻求永久禁令以阻挡英诺赛科产品进入美国市场。

英飞凌与英诺赛科双方 GaN 专利诉讼时间线如下：

2024 年 3 月 14 日，英飞凌就英诺赛科侵犯英飞凌的一项与 GaN 相关的美国专利向美国加利福尼亚北区地方法院提起了初始诉讼，寻求永久禁令；

2024 年 6 月 4 日，英飞凌向德国慕尼黑地方法院对英诺赛科提起相应诉讼；

2024 年 6 月 12 日，德国慕尼黑地方法院发布一项初步禁令（法院指令），要求英诺赛科在 PCIM Europe 展位上移除与侵权案涉及专利有关的所有产品；

2024 年 7 月 23 日，英飞凌向美国加州北区地方法院追加诉讼请求；

2024 年 7 月 26 日，英飞凌向美国国际贸易委员会（USITC）起诉，就加州诉讼所涉的四项专利提出法律索赔。

在长达近两年的法律拉锯战中，英飞凌最初指控的四项专利在审理过程中被撤回了两项。而在2025年底的初步裁定阶段，双方曾各执一词，一度让市场陷入迷雾。然而，随着ITC最终裁定的落地，这场备受瞩目的专利纠纷画上了句号。ITC全体委员一致认定，英诺赛科当前的产品并未侵犯英飞凌的相关专利，这场针对中国GaN企业的围堵最终以失败告终。

作为本次胜诉的主角，英诺赛科（Innoscience）在第三代半导体领域拥有举足轻重的地位。这家总部位于珠海的半导体企业，专注于氮化镓（GaN）类器件的研发与制造，产品线覆盖从低压到高压的氮化镓电源IC及功率半导体。

凭借在8英寸硅基氮化镓晶圆量产技术上的突破，英诺赛科迅速在全球市场占据了一席之地。2024年底，英诺赛科在香港联合交易所主板成功挂牌上市，标志着“国内氮化镓半导体第一股”的正式诞生。此次在美国ITC调查中的胜诉，不仅巩固了其在全球GaN市场的技术话语权，也为中国半导体企业打破国际巨头专利封锁、实现全球化布局注入了强劲的信心。