三星HBM良率大突破：1b DRAM良率达92%、1c DRAM破75%！

我爱方案网5月18日消息，在全球AI算力竞赛进入白热化的当下，高带宽存储器（HBM）的产能与良率已成为制约行业发展的核心命门。近期市场传出重磅利好，三星电子在HBM核心DRAM制造上取得重大进展，1b与1c两大先进制程良率双双飙升。这一突破不仅意味着三星彻底走出了早期的技术泥潭，更预示着全球AI存储市场的供应格局将迎来剧烈洗牌。

长期以来，三星电子在HBM领域的追赶之路走得颇为坎坷。作为全球存储巨头，三星曾在2024年因良率瓶颈导致HBM市场份额一度跌至谷底，甚至被竞争对手SK海力士和美光甩在身后。尤其是在第六代10纳米级（1c）DRAM工艺的开发初期，受限于极紫外光刻（EUV）等复杂工艺的调试，其早期样品测试良率曾低至30%左右，严重拖累了HBM4的量产进度和向英伟达等顶级客户的供货能力。然而，经过近两年的“刮骨式”产线改革与技术攻坚，三星终于迎来了触底反弹的关键时刻。

根据最新的产业链消息，三星电子在HBM专用的DRAM晶圆制造上取得了里程碑式的跨越。具体数据显示，用于生产当前主流HBM3E产品的1b DRAM制程良率已高达92%；而被寄予厚望、用于下一代HBM4产品的1c DRAM制程良率也已成功突破75%的大关。

这一数据的变化极具含金量。要知道，DRAM制造的盈亏平衡点通常在50%-60%之间，而超过80%才被视为大规模量产的理想状态。1b制程达到92%的惊人良率，说明三星在成熟先进节点上的品控已经超越了行业标准，能够以极高的效率和极低的成本交付产品。而1c制程突破75%，则标志着三星正式攻克了此前阻碍HBM4放量的最大拦路虎——极紫外光刻工艺稳定性与电路设计优化问题。