威世科技Vishay扩展ILHB系列车规级铁氧体磁珠,赋能更广泛的EMC降噪应用

发布时间:2026-07-14 阅读量:72 来源: 发布人: Liv

美国宾夕法尼亚MALVERN、中国上海 — 2026年7月13日 — 日前,威世科技(Vishay Intertechnology, Inc.,NYSE 股市代号:VSH)宣布,全面扩展其适用于大电流滤波的 ILHB 系列车规级多层片式铁氧体磁珠产品线。此次由 Vishay Dale 推出的器件升级,不仅显著提升了通流能力,还实现了封装尺寸的进一步缩小,并大幅拓宽了阻抗范围,旨在为更广泛的电磁兼容(EMC)降噪场景提供卓越支持。


7.14-2.png


突破性能瓶颈,实现小型化与大电流的完美融合


在电子系统日益复杂且追求极致紧凑的今天,如何在有限的PCB空间内实现大电流滤波一直是工程师面临的挑战。此次扩展后的 ILHB 系列交出了一份令人满意的答卷:


  • 丰富的封装选择:产品线现已涵盖 0402、0603、0805、1008 以及 1206 五种主流小型封装,满足不同空间限制的设计需求。

  • 卓越的电流与阻抗表现:额定电流高达 6A,阻抗值覆盖 10 Ω 至 2700 Ω 的宽广范围。

  • 性能翻倍:产品阵容扩充后,设计人员可以选用更小的封装器件来实现更大的通流能力;在同等封装尺寸和阻抗值下,其载流能力相比以往提高了两到三倍。


广泛适用,覆盖汽车与工业核心应用


经过在封装、额定电流及阻抗范围上的全面扩充,ILHB 系列铁氧体磁珠能够从容应对各种设备在大电流、高频及专用信号滤波方面的严苛需求。其应用版图已覆盖众多关键领域:


  • 汽车电子:车载配电与能源管理系统

  • 工业控制:工业自动化系统、家居和楼宇控制装置

  • 计算与通信:计算机及外设、通信基础设施

  • 其他领域:消费类设备、白色家电、医疗仪器、航空电子设备等


优化数据手册,简化工程师选型流程


为了进一步提升研发效率,Vishay 对 ILHB 系列产品的数据手册进行了深度优化。工程师无需再繁琐地查阅多张特性图表,即可快速、准确地预估磁珠在不同频率下的电气性能。


数据手册中新增的关键设计参数包括:


  • 阻抗峰值(Zpk)及其对应频率

  • 阻抗低于标称值以下的频率点

  • 电抗-电阻频率交叉点(X-R 交点)

这些直观的数据为电路设计提供了极大的便利,有效缩短了产品开发周期。


车规级品质,无惧严苛环境


作为面向高可靠性应用的产品,ILHB 系列器件在材料和工艺上同样精益求精:


  • 权威认证:全系产品均通过 AEC-Q200 车规级认证。

  • 优质材料:采用银质(Ag)内电极,外部镀层为铜(Cu)、镍(Ni)、锡(Sn),确保了优异的焊接性能和长期可靠性。

  • 宽温工作:工作温度范围宽达 -55 °C 至 +125 °C,足以应对各种极端环境。

  • 绿色环保:产品完全符合 RoHS 标准及 Vishay 绿色标准,且无卤素。


7.14-3.png

相关资讯
打破设计与制造的壁垒:DFM技术如何重塑PCB产业的底层逻辑

在电子产品向高密度、微型化及高频高速方向飞速演进的当下,PCB作为电子产品的核心载体,正面临着前所未有的工艺挑战。然而,传统PCB设计模式长期受困于“重设计、轻制造”的短板,设计图纸与工厂实际生产工艺严重脱节,导致量产良率低、返工成本高、研发周期冗长等痛点频发。随着DFM(可制造性设计)技术的全面普及与深度迭代,这一横亘在设计端与制造端之间的行业壁垒正被彻底打破。DFM将生产工艺约束、量产标准与成本管控前置到设计全流程,已成为重塑PCB设计体系、推动电子制造精益化升级的核心引擎。

内置自举二极管,极海推出GHD3450双N沟道栅极驱动IC

近日,极海半导体正式宣布推出全新200V三相双N沟道电机栅极驱动器——GHD3450。这款中压高速栅极驱动IC内置自举二极管,并提供TSSOP20与QFN24两种紧凑封装,旨在为现代小型化电机驱动系统的设计提供高度灵活且可靠的底层硬件支持。

东芝电子发布DCL34xx0B系列新品,丰富工业应用多通道隔离方案

东芝电子发布DCL34xx0B系列新品,丰富工业应用多通道隔离方案

纳芯微重磅推出NSM2051:为2000V高压系统注入“高精度”芯动力

随着光伏与储能行业加速向高功率密度、高效率方向迈进,系统电压正逐步向2000V高压平台演进。这对电流传感器的绝缘隔离能力、检测精度与系统可靠性提出了前所未有的严苛要求。近日,纳芯微正式宣布推出NSM2051集成式霍尔电流传感器,旨在为2000V高压平台提供兼顾绝缘安全、检测精度与系统可靠性的前沿电流检测方案。

英飞凌50亿欧元智能功率晶圆厂提前投产,打造全球最大先进半导体基地

2026年7月2日,英飞凌科技正式宣布,其位于德国德累斯顿的“智能功率晶圆厂”(Smart Power Fab)较原计划提前数月正式启用。作为英飞凌史上规模最大的单笔投资(50亿欧元)及德国近年最大的工业项目之一,该工厂的投产不仅将新增1000个直接就业岗位,更使英飞凌德累斯顿基地产能实现翻番,一举成为全球最大的智能功率半导体及模拟/混合信号技术生产基地。