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ROHM车载MOSFET新品:抑制二次击穿,SOA范围扩大5倍

发布时间:2026-07-24 阅读量:3703 来源: 发布人: Liv

全球知名半导体制造商ROHM近日宣布,面向车载安全功能和保护电路开发出100V耐压MOSFET新品“RS4P063BPHZG”。

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随着汽车电子化进程加速,车载安全系统在异常或紧急状态下会产生瞬时高功率负载,对驱动MOSFET的安全工作区(SOA)提出了更高要求。基于在AI服务器和工业电源领域积累的Wide-SOA技术优势,ROHM将这一特性成功引入车载应用。

新品RS4P063BPHZG采用车载标准的5060封装(4.9×6.0×1.1mm),通过抑制二次击穿的设计,在VDS=100V、PW=100μs条件下,实现了约5倍于同等尺寸普通产品的SOA范围。这一业界超宽的SOA特性,可显著提升安全气囊点火、安全带预紧器驱动及烟火式断电器等瞬时高功率场景的可靠性。同时,标准封装设计便于在现有布局上直接替换,有效降低设计变更带来的工时与成本。

该产品已于2026年6月量产(样品价450日元/个,不含税),支持电商平台采购,ROHM官网同步提供设计模型与评估工具。此外,ROHM正着手开发HPLF8080和TOLG等更多封装规格的Wide-SOA车载MOSFET,持续扩充产品阵容。

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<应用示例>

・安全气囊用气体发生器点火电路

・安全带预紧器的驱动电路

・烟火式断电器驱动电路

・其他在短时间内会产生大电流、高电压应力的车载安全功能和保护电路




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