3.31万亿开盘市值超越英特尔：长鑫上市与一场迟来五十年的DRAM权杖交接

2026年7月27日，国产DRAM龙头长鑫科技登陆科创板，发行价8.66元/股，开盘价49.50元，较发行价大涨471.59%，开盘总市值约3.31万亿元，一举超越英特尔7月24日收盘折合约3.18万亿元人民币的市值，成为A股史上首只开盘即突破3万亿的个股。这也拉开了国产存储资本化估值赶超国际老牌芯片巨头的序幕。

这场“市值换位”颇具象征意味：半个世纪前亲手开启DRAM产业的，正是英特尔；半个世纪后，接过国产DRAM自主化大旗、在资本市场上把英特尔甩在身后的，是成立仅十年的长鑫。存储产业的权杖，正在周期与国运的交叉点上悄然易手。

回溯英特尔的发展史，这家1968年成立的半导体先驱，早年正是DRAM赛道的开创者。1970年，英特尔推出全球首款商用DRAM芯片1103，一度垄断全球九成以上的存储市场，奠定了现代半导体存储的行业根基。但进入上世纪80年代，日本厂商凭借制程优势与成本竞争力强势挤压市场，英特尔DRAM业务陷入持续亏损。1985年，英特尔果断剥离DRAM业务，全面转向X86微处理器的研发与商业化。自此，英特尔依靠PC与服务器CPU称霸行业数十年，逐步构建起覆盖算力、芯片组、数据中心乃至AI芯片的完整产业版图。如今英特尔虽仍布局存储业务，但早已不再以DRAM为核心。

相比之下，长鑫科技则扛起了国产DRAM自主化的大旗。作为中国大陆为数不多的DRAM一体化厂商，长鑫目前已实现DDR4、DDR5、LPDDR等多代产品量产，全球市占率稳步提升至7.67%，出货量稳居全球第四位。据其招股书业绩预告，公司预计2026年上半年实现营收1100亿至1200亿元，净利润达500亿至570亿元，标志着国产存储商业化规模实现跨越式增长。

不过，多位行业分析人士指出，长鑫此次市值反超英特尔具有明显的短期特殊性。受限于新股流通盘较小（首日流通盘约45亿股，换手率超66%）以及市场强烈的做多情绪，其估值存在阶段性溢价，并不等同于长鑫在综合实力上已全面超越英特尔。作为拥有近60年技术沉淀的全球芯片巨头，英特尔在CPU、数据中心、AI加速芯片等领域仍具备深厚的全球化产业壁垒，营收规模与技术生态护城河依然领先。

从产业脉络来看，本次市值更迭，既是资本市场对国产存储技术突破与供应链自主可控的高度认可，也预示着全球存储产业格局正在发生结构性重构。但长鑫能否稳住当前估值，仍需在未来数年内持续验证三大关键变量：先进制程的持续迭代（从17nm级向更先进节点跃迁）、多地12英寸晶圆厂的产能释放节奏，以及在DRAM强周期波动下的长期盈利稳定性。