破局晶体管极限:美国重金押注硅光子与先进封装,国产替代迎新机遇

发布时间:2026-08-4 阅读量:67 来源: 发布人: Liv

美国政府正将《芯片与科学法案》从单纯的“建厂补贴”升级为精准“卡技术”的战略投资工具。7月底,美国商务部下属的CHIPS研发办公室(NIST)与7家科技企业签署意向书,拟提供总计最高8.74亿美元的联邦研发激励资金。与以往直接拨款不同,此次资助的核心附加条件是获取这些企业的少数、非控股股权。这笔资金被高度聚焦于AI基础设施的“连接层”瓶颈,旨在通过“股权换研发”的模式,全面攻克共封装光学(CPO)、AI内存、先进封装、低损耗互连材料与光子衬底等下一代核心技术。

具体分配中,GlobalFoundries 最高获 3 亿美元用于加速共封装光学与硅光;Kepler 最高 2.45 亿美元开发基于 3D 与铁电架构的新一代 AI 内存;Multibeam 最高 1.4 亿美元研发先进封装设备(无掩模光刻、多芯粒组装);其余分配予 Extropic(7500 万美元,低功耗热力学采样计算)、Thintronics(5000 万美元,超低损耗介质材料)、OBSIDIA(3400 万美元,防伪元器件识别)与 Aeluma(3000 万美元,非磷化铟光子衬底)。最终金额仍需尽职调查与正式协议确定。

这笔钱补的是"晶体管之后的瓶颈"——封装与光互连,受益逻辑对国内映射清晰:硅光(源杰科技、光迅科技、中际旭创产业链)、先进封装设备(中微公司、盛美上海、华海清科周边)、封装基板与低损耗材料(生益科技、华正新材等)、以及铁电/新型存储方向(东芯股份、普冉股份等)均有对应标的。美国以"股权换研发"的打法,也为国产替代在光子与封装材料环节腾出了更大空间。


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