发布时间：2026-08-4 阅读量：46 来源: 发布人: Liv
在工业自动化与物联网加速向高频、高可靠方向演进的背景下，传统光隔离器与机电继电器的性能瓶颈正日益凸显。为此，全球功率半导体巨头英飞凌正式推出全新ISSI20BxxF固态隔离器（SSI）系列，凭借专有的无芯变压器技术，将固态隔离方案精准导入过去由光隔离器（PVI）、光继电器（PVR）及机电继电器（EMR）主导的大批量应用场景。该系列采用与现有光耦相当的紧凑型PG-DSO-8 150 mil封装，不仅帮助设计人员在空间受限的PCB上实现无缝升级，更在输出驱动能力、系统级集成保护及功率开关选型灵活性上实现了全面超越。
英飞凌推出紧凑型ISSI20BxxF产品系列，进一步扩展固态隔离器产品组合
ISSI20BxxF系列基于英飞凌专有的无芯变压器技术打造，可通过隔离栅传输信号与能量，驱动外部功率开关，且无需配备额外的隔离栅极电源。相较于传统光隔离器方案，该方案具备更强的输出驱动能力，能够支持更广泛的外部功率开关器件。其集成保护功能包括过流保护、过温保护、故障快速关断及锁断等功能，可减少外围保护电路需求，提升系统稳定性。部分型号还支持动态米勒钳位与快速导通功能，能够满足对开关性能要求更为严苛的应用场景。
ISSI20BxxF系列包含ISSI20B02F、ISSI20B03F以及ISSI20B11F三款产品，均采用PG-DSO-8 150 mil封装。所有器件均具备3 kVrms隔离耐压能力、4 mm爬电距离，并通过了UL 1577认证，适用于根据相关安全标准采用基本绝缘即可满足要求的应用。作为对英飞凌此前推出的ISSI20RxxH和ISSI30RxxH系列的有力补充，新推出的ISSI20BxxF系列进一步扩展了其SSI产品线，适配各类需要更小占板面积的设计方案。
与机电继电器相比，基于SSI的固态继电器不存在机械磨损、触点弹跳与电弧故障，运行静音且使用寿命更长，这类优势在高频应用中愈发受到重视。
镁光因排放被称为“永久化学物质”的污染物被起诉
当摩尔定律逼近物理极限，单纯依赖制程缩放提升芯片性能的路径已触及天花板，全球半导体产业正加速向“架构重构+先进封装”双轮驱动转型。无论是台积电的CoWoS先进封装、通用的Chiplet异构集成，还是华为旨在降低电路时间常数τ的“韬定律”，其底层核心均离不开异构芯粒间的高速互联与总线架构。在这一产业重构的浪潮中，以UCIe为代表的标准化互联协议及成熟的商用IP产品，正成为打通多裸片系统互联互通的关键基础设施，深刻影响着下一代高性能芯片的落地进程。
随着中国半导体市场规模在2025年突破1991亿美元，并预计以8.81%的复合年增长率在2034年攀升至4351亿美元，汽车、智能互联设备及可再生能源等新兴领域正持续释放庞大的产能需求。在这一万亿级市场的扩张进程中，国内供应链的加速本地化以及对先进封装技术的重金投资，正将半导体测试设备与服务推向风口。面对AI芯片、先进封装及下一代半导体研发带来的器件验证与良率挑战，全球连接技术创新者Molex莫仕正凭借其在高速连接领域的深厚积淀，并通过整合收购Smiths Interconnect所获的前沿解决方案，全面扩展其支持中国半导体客户的能力，为日益复杂的芯片生命周期保驾护航。
长鑫存储拟在北京再建第二座DRAM晶圆厂
美国政府正将《芯片与科学法案》从单纯的“建厂补贴”升级为精准“卡技术”的战略投资工具。7月底，美国商务部下属的CHIPS研发办公室（NIST）与7家科技企业签署意向书，拟提供总计最高8.74亿美元的联邦研发激励资金。与以往直接拨款不同，此次资助的核心附加条件是获取这些企业的少数、非控股股权。这笔资金被高度聚焦于AI基础设施的“连接层”瓶颈，旨在通过“股权换研发”的模式，全面攻克共封装光学（CPO）、AI内存、先进封装、低损耗互连材料与光子衬底等下一代核心技术。
