英特尔将重返内存市场？

我爱方案网8月13日消息，英特尔CEO陈立武（Lip-Bu Tan）在Celesta Capital的《TechSurge》播客中，释放出强烈信号：英特尔正探索重返内存市场，其核心方向是研究全新的内存架构，并探索将CPU与内存进行堆叠整合的可能性。

陈立武在节目中坦言自己过去对内存业务持回避态度，因其被视为低利润的大宗商品。但现在，情况已截然不同。

“我以前的观点是‘不要投资内存，因为这是大宗商品生意’，但现在它变了，”陈立武说，“有很多新技术正在涌现。我们正在关注，其中有一个我的‘心头好’项目，就是研究一些新的内存架构。”

陈立武此番表态的背景，是内存市场正经历一场由AI驱动的超级周期。市场对高带宽、大容量内存的需求激增，使存储芯片从配角变为决定AI基础设施性能的关键瓶颈。即便是存储板块股票在持续大涨后近期遭遇了集体回调，截至8月12日，SK海力士、美光的美股市值均已回到了1万亿美元上方。

陈立武暗示，他聘请了自己的“老朋友”——SK海力士前CEO李锡熙（Seok-Hee Lee），出任英特尔代工业务执行副总裁，全面主导先进封装与系统整合工作。

“所以你们大概能猜到我在思考什么方向，”陈立武说，“但我们还没准备好公开细节。”

市场普遍认为，英特尔的目标并非重返传统DRAM或NAND闪存制造，与三星、SK海力士直接竞争，而是另辟蹊径。陈立武在访谈中也明确表示，他看好CPU与内存的堆叠（stacking）：“我认为CPU和内存之间，其实有很多方式可以把两者真正堆叠在一起，也可以尝试为内存找到一些新的架构。”

显然，陈立武瞄准的是“计算+内存+先进封装”的融合市场。通过EMIB、Foveros等先进封装技术，将CPU与定制化内存更紧密地集成，以解决AI时代数据搬运的功耗和延迟难题。这一方向也与此前英特尔曝光的旨在替代HBM的ZAM、XBM等新型内存架构专利相吻合。

今年2月，英特尔与软银旗下子公司SAIMEMORY宣布共同开发一项名为“ZAM（Z-Angle Memory）”的创新内存技术，旨在满足人工智能和高性能计算日益增长的需求。ZAM采用堆叠式DRAM架构，可实现超越HBM的大容量且高带宽的数据处理，并提升处理性能、降低功耗、成本也可降低一半。该计划预计将于今年第一季度启动，原型设计计划于2027年完成，并于2029年实现商业化。

随后在今年7月初，英特尔曝光了其“跨批次内存”（XBM）架构的一项专利申请，该设计旨在绕开现有HBM对硅中介层（interposer）的依赖，通过后端工艺晶体管与串行UCIe互连取代传统DRAM及其超宽接口，从而大幅压缩封装成本。据Wccftech报道，XBM的商业化目标时间节点定在2030年之后，与英特尔联合软银旗下SAIMEMORY共同开发的ZAM内存架构时间线一致。

如果将陈立武暗示英特尔将重返内存市场，以及近期在存储领域的布局放在英特尔的历史坐标中审视，会发现一个颇具戏剧性的轮回：这家公司1968年创立时的立身之本，恰恰就是内存。

英特尔成立于1968年，其最初的业务正是内存。当时大多数计算机使用磁性方式来存储信息，通过手工制作的磁芯内存（Magnetic Core Memory）正是那个年代的产物，能耗和成本均十分高昂。英特尔在1969年推出首款内存产品3101 SRAM之后，1970年正式发布了成本更低的1103 DRAM，这款产品之后两年内迅速取代了磁芯内存，成为了当时全球销量最高的半导体器件。