三星推迟High NA EUV导入，2030年助力1nm量产

我爱方案网8月13日消息，在韩国举行的“2026下一代光刻与图案化会议”（2026 Next-Generation Lithography + Patterning）上，三星电子技术副总裁朴昌民（ChangMin Park）表示，公司计划从1纳米（A10）制程节点开始，引入ASML的高数值孔径（High NA）极紫外（EUV）光刻机进行量产。这一时间点预计在2030年左右。

朴昌民透露，三星曾一度希望将High NA EUV技术用于2纳米（SF2）及1.4纳米（SF1.4）节点的量产，但经过评估后认为，该技术在现阶段的应用仍不够成熟，因此决定推迟。三星相信，对于A10（1纳米）及更先进的节点，High NA EUV光刻机将成为必需的工具。

High NA EUV光刻机的数值孔径（NA）为0.55NA，高于当前标准EUV光刻机的0.33NA。更高的数值孔径允许打印更小的电路尺寸，从而实现单次图案化，避免了传统低数值孔径（Low NA）EUV光刻机为实现更小制程而必须采用的多重图案化工艺。

虽然利用Low NA EUV光刻机通过多重曝光来制造更小的电路，会增加制造成本、工艺复杂度和缺陷率。但是，单台High NA EUV光刻机售价高达3.5亿至4.1亿美元，几乎达到了Low NA EUV光刻的两倍。

尽管ASML的High NA EUV光刻机已于两年前开始发货，但其在先进制程中的实际应用进度已出现多次延迟。台积电高管去年就曾表示，其后续的A14（1.4纳米级）及之前的制程的量产都不会采用High NA EUV光刻机。

直到今年7月15日，ASML宣布，英特尔Foundry正在Intel 18A工艺节点上采用ASML High NA EUV技术生产其部分英特尔Core Ultra 3系列处理器。英特尔Foundry成为了业界首家采用High NA EUV生产大量逻辑产品的公司。

三星则预计，搭载High NA EUV技术的1纳米芯片将在2030年左右进入大规模生产阶段。在此之前，三星将使用现有的Low NA EUV光刻机，通过多重图案化等工艺在2029年量产1.4nm（SF1.4）制程。