发布时间：2011-05-12 阅读量：618 来源: 我爱方案网 作者: 我爱方案网
中心议题：
* DFN3020封装的外观及工作性能
Diodes公司推出旗下有助节省空间的DFN3020封装分立式产品系列的首批MOSFET。这三款双MOSFET组合包含了20V和30V N沟道及30V互补器件。这些双DFN3020 MOSFET的电学性能与较大的SOT23封装器件不相上下，可以替代两个独立的SOT23封装MOSFET，节省七成的电路板空间。
DFN3020 MOSFET系列的占位面积只有6平方毫米，离板高度为0.8毫米，较采用SOT23或TSOP-6封装的器件低四成，适用于平板电脑或上网本等空间有限、体积小巧的消费电子产品的负载开关或升压转换电路。这款互补型DFN3020 MOSFET还可用作半桥 (half bridge) 来驱动工业应用中的电机负载。
这些MOSFET的结点至环境热阻 (ROJA) 为83ºC/W，功耗可连续保持在2.4W的高水平，工作温度也低于SOT23封装MOSFET可达到的水平，因而有助提高可靠性。
ZXMN2AMC (双20V N沟道)、ZXMN3AMC (双30V N沟道) 及ZXMC3AMC (互补30V) DFN3020封装MOSFET现已开始供应。
2025年5月14日，全球半导体分销巨头大联大控股在深圳成功举办以「新质工业·引领未来」为主题的峰会，汇聚英飞凌、意法半导体、瑞芯微等16家顶尖原厂及逾500名行业精英。面对全球制造业智能化、低碳化转型浪潮，此次峰会聚焦人工智能、边缘计算、电力电子等新质生产力的技术融合，通过主论坛、分论坛及技术展区三大板块，全方位展示从芯片设计到系统集成的全产业链创新方案。中国工业增加值连续三年稳步增长（2023年4.6%、2024年5.7%、2025年一季度6.5%），印证了“新质工业时代”的全面开启。大联大中国区总裁沈维中在开幕致辞中强调，中国制造业正以技术韧性重构全球供应链，而半导体技术的全链路赋能将成为驱动产业升级的核心引擎。
根据金升阳官方技术白皮书数据显示，其最新发布的LM-R2S系列机壳开关电源通过8项核心技术创新，实现了工业供电设备在功率密度、环境耐受性及能效表现的三维突破。作为LM-R2系列的迭代产品，该系列解决了传统工业电源在设备小型化与复杂工况适配性之间的矛盾，为智能制造升级提供了高可靠性的供电保障。
2025年第一季度，全球存储器市场迎来关键转折点。DRAM与NAND Flash现货价自2月止跌回升，带动行业库存去化加速，需求端逐步回温。威刚科技董事长陈立白指出，存储器原厂自2024年末起减产调控供给，叠加AI服务器、智能终端等新兴应用需求增长，推动市场价格走出低谷。根据TrendForce数据，尽管此前预测Q1合约价可能下跌，但实际现货市场受备货动能及库存策略影响，价格反弹超预期，成为威刚业绩增长的直接推力。
MediaTek于5月14日正式推出天玑9400e旗舰移动平台。作为天玑系列的全新力作，该芯片凭借全大核架构设计、第三代4nm制程工艺及多项创新技术，在计算性能、能效管理和AI应用领域实现突破性进展，为智能手机用户提供更卓越的游戏、影像与通信体验。
根据韩国产业通商资源部5月14日发布的《2025年4月ICT进出口趋势》报告，韩国4月信息通信技术（ICT）出口额达189.2亿美元，同比增长10.8%，创下有记录以来4月份的最高值。同期贸易顺差为76.1亿美元，主要得益于半导体等高附加值产品的强劲表现。然而，对华、对美两大核心市场的出口增速显著放缓，反映出全球贸易政策不确定性的深远影响。
