发布时间:2011-05-23 阅读量:687 来源: 发布人:
中心议题:
*新型车用MOSFET系列产品性能简介
全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出采用新型 WideLead TO-262 封装的车用 MOSFET 系列,与传统的 TO-262封装相比,可减少 50% 引线电阻,并提高 30% 电流。
这款新型车用 MOSFET 系列适合需要低导通电阻 (Rds(on)) 的通用大负荷/高功率通孔应用,内燃机 (ICE) 汽车电动助力转向系统和电池开关,以及各类微型和全混合动力汽车。新器件采用 IR 先进的硅和封装技术,在显著提高性能的同时可与现有的设计标准相匹配。
在标准 TO-262 通孔封装中,除了 MOSFET 导通电阻,源极和漏极引线电阻可增至
IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示:“新型 WideLead TO-262 封装的设计灵感来自于DirectFET® 封装超低芯片自由阻抗的出色性能,以及传统 TO-262 封装的各种局限性。IR 新型 WideLead 封装中的 MOSFET 新系列在传输高电流的同时,大大降低了引线中的传导损耗和自身热量,从而为汽车应用提供了一个坚固可靠的解决方案。”
所有 IR 车用 MOSFET 产品都遵循 IR 要求零缺陷的汽车质量理念,并经过了动态和静态器件平均测试及 100% 自动晶圆级目视检查。
新器件符合 AEC-Q101 标准,是在IR要求零缺陷的汽车质量理念下研制而成的。它环保、无铅,也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。
产品规格
器件编号 |
封装 |
V(BR)DSS (V) |
10VGS时的 最大导通电阻 (mΩ) |
TC 为 |
10VGS 时的 QG 典型值(nC) |
AUIRF1324WL |
TO-262WL |
24 |
1.3 |
240 |
120 |
AUIRF3004WL |
TO-262WL |
40 |
1.4 |
240 |
160 |
日本政府支持的半导体企业Rapidus于7月18日宣布,已成功试产国内首个2nm晶体管,标志着该国在先进芯片制造领域取得关键突破。这一进展是日本耗资5万亿日元(约合340亿美元)半导体复兴计划的重要里程碑,旨在重塑其在全球芯片产业链中的竞争力。
在2025年RISC-V中国峰会的“高性能计算分论坛”上,Andes晶心科技CEO林志明正式发布了公司最新一代64位RISC-V处理器IP——AX66。该产品基于RISC-V国际基金会最新批准的RVA23 Profile标准,专为高性能计算(HPC)、AI加速及边缘计算等场景优化,标志着RISC-V生态在高性能计算领域的进一步成熟。
随着电子设备复杂度的提升和产品开发周期的缩短,电磁兼容性(EMC)测试已成为制造商面临的关键挑战。传统EMI测量方法效率低下,难以捕捉瞬态干扰信号,导致测试周期延长、成本增加。是德科技(Keysight Technologies)推出的新一代PXE电磁干扰(EMI)测量接收机,通过突破性的1 GHz实时无间隙扫描技术,将测试速度提升3倍,显著优化了EMC认证流程,为工程师提供了更高效、精准的测试解决方案。
全球电商及云计算巨头亚马逊近日对其核心利润引擎——亚马逊网络服务(AWS)部门实施新一轮裁员。据公司内部消息人士透露,本次调整涉及销售、市场及技术解决方案团队,受影响岗位达数百人。这是继4月影视与硬件部门优化后,亚马逊2024年内第三次公开披露的裁员计划,反映出企业在人工智能浪潮下的持续业务重塑。
随着汽车电子化程度不断提高,高边驱动器(High-Side Driver)在车身控制模块(BCM)、LED照明、电机驱动等应用中发挥着关键作用。圣邦微电子(SG Micro)推出的SGM42203Q是一款专为汽车电子设计的24V双通道高边驱动器,具备模拟电流检测、高可靠性及智能保护功能,可广泛应用于电阻性、电容性和电感性负载驱动。本文将深入解析该产品的技术优势、市场竞争力及典型应用场景。