1.5A 负低压差线性稳压器LT3015

发布时间:2011-06-24 阅读量:693 来源: 发布人:


中心议题:
       *
快速瞬态响应、精确电流限制的稳压器

加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2011 年 6 月 21 日– 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出1.5A 负低压差线性稳压器 LT3015,该器件具快速瞬态响应、低噪声和精确电流限制。凭借其 -1.8V to -30V 的宽输入电压范围及 -1.220V 至 -29.5V 的可调输出电压,该器件的共发射极 NPN 功率晶体管设计只需单个电源,并实现了一个 310 mV (满负载时的典型值) 的低压差电压。在 10Hz 至 100kHz 带宽范围内,输出电压噪声仅为 60µVRMS。LT3015 具有 1.1mA 的工作电流,停机时 <1µA,在出现压降时静态电流得到了很好的控制。LT3015 是作为凌力尔特其中一个广受欢迎之正 LDO (1.5A LT1963A) 的负补充器件,非常适合于负逻辑电源、低噪声仪表、工业电源以及后置稳压开关电源。

LT3015 的基准放大器拓扑提供精确 DC 特性,并用极宽范围的输出电容器 (包括小型和低成本的陶瓷输出电容器) 提供良好的环路稳定性。该器件用仅为10µF的输出电容器可稳定。不必增加在使用其他很多稳压器时常见的串联电阻 (ESR),就可以使用这些纤巧的外部电容器。LT3015 具有双向停机功能,允许该器件以正或负逻辑电平工作。此外,由于 LT3015 的高停机门限准确度,SHDN 引脚可用来为稳压器输入电源设定可编程欠压闭锁 (UVLO) 门限。该 IC 的内部保护电路包括反向输出保护、具折返的精准电流限制 (用于将功率晶体管保持在其安全工作区内) 及具迟滞的热限制。

LT3015 可提供具背部散热衬垫的扁平 (仅高 0.75mm) 3mm x 3mm 8 引脚 DFN 封装、具背部散热衬垫的 12 引脚 MSOP 封装、通孔 TO-220 封装和表面贴装型 DD-Pak 封装。 E 级和 I 级工作节温为 -40°C 至 +125°C,MP 级规格为 -55°C 至 +125°C。E 级、I 级和 MP 级的 DFN、MSOP、TO-220 / DD-Pak 版本的千片批购价为每片 2.67 美元,所有器件都有现货供应。如需更多信息,请登录 www.linear.com.cn/product/LT3015。

照片说明:LT3015 1.5A 负 LDO
 

性能概要:LT3015

·         VIN范围:-1.8V 至 -30V

·         VOUT范围:-1.22V 至 -29.5V (可调)

·         压差电压:310mV

·         输出电流:1.5A

·         具折返的精确电流限制

·         采用10µF陶瓷输出电容器可稳定

·         低输出噪声 (无需增加旁路电容器):60µVRMS

·         精确双向 SHDN 逻辑

·         快速瞬态响应

·         工作电流:1.1mA

·         停机电流:<1µA

·         可耐受反向输出电压

·         具迟滞的热限制

·         3mm x 3mm x 0.75mm DFN-8、MSOP-12、DD-Pak 和 TO-220-5 封装

相关资讯
突破体积限制!Nexperia推出车规级CFP15B封装双极性晶体管

在工业自动化和新能源汽车快速发展的浪潮中,电子系统对功率器件的空间利用率和热管理性能提出了前所未有的严苛要求。Nexperia准确把握市场需求脉搏,正式推出采用创新铜夹片封装技术的MJPE系列双极性晶体管。这12款突破性产品标志着高功率密度与强健可靠性的完美融合,为工程师提供前所未有的设计自由度。

美调整AI芯片对华出口规则,英伟达AMD部分产品获放行,供应链迎利好

据最新市场消息与厂商证实,美国商务部在人工智能(AI)高性能芯片对华出口管制政策上进行了审慎调整。芯片巨头英伟达(NVIDIA)与超威半导体(AMD)均已获得美方新的授权许可,允许其向中国大陆市场恢复特定型号AI芯片的销售,其中包括英伟达专为中国市场设计的H20芯片以及AMD的部分产品线(如被广泛关注的MI 308系列)。

台积电嘉义封测厂安全事故频发 累计2死2伤 工程遭勒令停工

近日,台积电位于嘉义科学园区的CoWoS先进封测厂再度发生安全事故,引发业界关注。据台媒报道,7月20日,该厂区内一辆载重约50吨的施工板车突然翻车,所幸未造成人员伤亡。然而,这已是该工地近两个月内发生的第四起重大安全事故,累计已导致2人死亡、2人重伤。

江波龙:AI驱动存储升级,DDR5与eSSD需求激增

2025年7月18日,江波龙发布公告,回应市场关注问题,并指出全球半导体存储市场自2025年3月底开始逐步回暖。公司表示,随着主要存储晶圆厂商实施新一轮减产或控产计划,市场供需关系改善,存储产品价格在2025年第一季度后半期呈现上涨趋势。同时,下游客户经历三个季度的库存消化后,需求迎来实质性增长。行业分析机构预测,第三季度服务器、手机等领域的存储产品价格仍具备上行空间。

三星加速美国泰勒工厂建设,瞄准芯片法案补贴与2nm技术突破

近日,三星电子正加速推进其位于美国德克萨斯州泰勒市芯片工厂的建设进程。据外媒报道,三星已调派大量芯片制造领域的专业工程师前往该工厂,以加快设备安装与生产线调试。此举不仅是为了满足潜在美国客户的订单需求,更是为了确保工厂能在规定期限内投产,从而获得美国《芯片法案》的巨额补贴。