发布时间：2011-07-17 阅读量：881 来源: 我爱方案网 作者:
中心议题：
*控制电路板设计
按照时间太推断，这款产品应该是在00年左右开始设计的，至04款装车，所以探讨的是10年前的技术。由于芯片水平的提高，很多的东西可能并不是很有意义，不过至少比当前国内的控制板强，姑且作为一个开端。
开始之前，把之前的文章进行一下介绍，其实在几篇文章之中，已经涉及到了这个问题，只是今天有暇单独把控制板单拉出来：
Prius的升压器1
这次着重分析的是，里头的控制电路板
.jpg)
E-Time的简要分析：
.jpg)
没拆开的时候，比较容易获取所有的输入和输出的信号的位置，而这个又是整个分析的基础
.jpg)
对于元件的基本辨识，按照这张图（Evaluation of 2004 Toyota Prius Hybrid Electric Drive System）更为细致：
.jpg)
不过好像里面将压缩机和DC-DC的部件搞反了，这是从Toyota里面摘出来的两张图
.jpg)
其实可以发现一个很有趣的问题，在Toyota的教材里头（找了两份中英文的，对比如下），HVECU与其他功率部件都是分离的，不过有相当一部分是集成在一起的，除了DC-Dc的整流板，不过也靠得很近，考虑到高压低压的分离，非常可以理解
.jpg)
而现实的情况他们是集成在一块控制板上的，其实这个板子，根本意义上不是弱点控制板，即是一块中功率的逆变器板，也是一块中功率的DC-DC的转换版，仅仅在下面红线一段，有一块32bit的MCU来负责处理，输出控制。整个逆变器的所有驱动部分，其实还都在下面的一块sub-module里头，关于这块板，是网上拍摄的重点，有详细的分析过程，有时间，将会针对此进行整理。
.jpg)
如果有兴趣可以看看整个PCU的接口连接器定义，梳理一下对理解有一定的帮助
.gif)
据The Verge等多家权威媒体报道，英伟达（NVIDIA）正联合联发科开发基于Arm架构的AI PC处理器，预计2025年底至2026年初正式推出。该芯片将整合Arm CPU核心与新一代Blackwell GPU架构，首款搭载设备已确认由戴尔旗下高端电竞品牌Alienware首发，目标直指高性能游戏本市场。
纳芯微电子最新推出的NSD2622N是一款针对增强型氮化镓（E-mode GaN）功率器件优化的高压半桥驱动芯片。该芯片通过创新性地集成正负压稳压电路（可调5V-6.5V正压与固定-2.5V负压）与高可靠性电容隔离技术，完美解决了GaN器件在高压大功率场景下易受串扰误导通、驱动电路设计复杂等核心痛点。其支持自举供电、超强200V/ns dv/dt抗扰能力以及2A/-4A峰值驱动电流，显著简化了系统设计，提升了电源效率和可靠性，为人工智能数据中心电源、光伏微型逆变器、车载充电机等高增长领域提供了极具竞争力的驱动解决方案。
在“双碳”目标驱动下，光伏组件功率持续提升（2025年主流组件功率突破700W），对旁路二极管的性能要求显著提高。华润微电子功率器件事业群（PDBG）基于肖特基二极管领域的技术积累，推出第二代180mil TMBS（Trench MOS Barrier Schottky）器件。该产品通过优化正向压降（VF）、反向漏电流（IR） 及高温工作特性，解决了高功率组件在热斑效应、高温环境下的可靠性痛点，目前已向天合、晶澳、晶科等头部光伏企业批量供货。
全球智能手机巨头三星电子正积极推动其人工智能服务多元化战略。权威消息显示，该公司已进入与美国AI搜索新锐Perplexity深度合作的最终谈判阶段，计划在明年初发布的Galaxy S26系列中整合其尖端技术。此举标志着消费电子行业头部玩家正加速构建独立于传统搜索引擎巨头的AI生态体系。
据TrendForce集邦咨询统计，2025年第一季度全球DRAM产业营收达270.1亿美元，较上季度缩减5.5%。此轮下滑主要受两大因素驱动：一是标准型DRAM合约价持续走低，二是高带宽内存（HBM）出货规模阶段性收缩。市场进入技术转换关键期，三大原厂制程升级导致产能结构性调整，为二线厂商创造了新的市场机遇。
