Boost的使用考虑

发布时间:2011-07-18 阅读量:1036 来源: 我爱方案网 作者:


中心议题:
       *丰田的总体进化方向

前面写过两篇文章,幸好由于是学习笔记的关系,话没说太满。在此综合一些材料,对这个问题进行进一步的阐述。

先看看以上的一个视频吧


我在第二篇文章中整理发现,主电机的峰值功率远大于Boost(电池组)提供的功率,按照测试条件,电池输出的功率实质上是在汽车启动的时候(引擎关闭)使用。

而整个主电机的峰值功率,实质上是出现在汽车全力加速的时候,这个时候引擎在运转,但是分出一部分的功率进行发电(这有个转换效率的问题)。牵涉到的能量分配问题,其实是整个问题的核心,在假定车需求的输出功率一定的情况下,主电机的功率是多少?电池提供多少,而引擎直接输出多少,通过转动转换成电力提供给主电机又多少?这个题目很复杂,但是很可惜,这种模式其实并不是被丰田作为一种理想的模式,此时的热损耗太大了,使得整个功率控制单元进入了冷却模式。
 


关于引入boost的原因,看上去大致有两个

1.系统电压的提升,使得(主)电机在相同转速下,输出的扭矩曲线提高了
 


2.电子功率系统总损耗可以降低    
这里首先不牵涉机械功率分配带来的好处,事实上我也很难看懂委屈这些复杂的传统系统的计算……     

如前面所说,整个系统包括Boost(包括boost电感和IGBT管)、主电机逆变器IGBT和电机系统。这张图可能更能清晰的说明状况:
 


当前这一代(2010),比以前的继续提高了电压。  

系统而言,主要损耗有包括类: 电机损耗 、逆变器(MG1)损耗、逆变器(MG2)损耗和升压器损耗【IGBT损耗和电感线圈损耗】 。这些损耗都与系统的电压有关,总的损耗与电压负相关。电机损耗可拆分为两部分:电机的线圈上的铜损(线圈的电流产生)和铁损(由铁芯的磁通量变化产生)的总合。 逆变器损耗主要包括开关元件( IGBT)的损耗, 通过电流越小,损耗越小。升压转换器损耗是IGBT损耗和电感线圈损耗的总合,按照测试条件,其损耗是总功率的函数。  

总体的进化方向是朝着总线电压高的方向发展。  

按照现在的参数,丰田想要保留Boost的条件下,做EV甚至是有初始阶段EV模式的PHEV,似乎都很难实现。这是因为,整个系统大概需要保持80~100以上的峰值功率,而想要让电池组(做大是可行的)和Boost具备这个功率,我想这个损耗会大到无法接受,而且长期工作于主电机的额定功率,Boost的消耗也不少,相信这不是一个划算的方案。Boost和高压电机驱动的方法,估计在以后的设计中难得一见。
 


纯电模式下的糟糕的加速性能和峰值输出功率,可能并不讨人喜欢的。  

进一步猜想一下,其实Boost也是燃料电池车里头一个重要的部件。

PS:整个功率总成的东西,真的是很有趣,无数能人志士在这块地盘奋斗。不过我相信没有良好的机械和数学理论功底,想要做这个东东是天方夜谭。以下的一些文章,可能可以提供一些线索:

SAE2006-01-0666_An Analytic Foundation for the Toyota Prius THS-II Powertrain with a Comparison to a Strong Parallel Hybrid-Electric Powertrain

SAE2009-01-1321_An Analytic Foundation for the Two-Mode Hybrid-Electric Powertrain with a Comparison to the Single-Mode Toyota Prius THS-II Powertrain

SAE2011-01-0876_Kinematic Study of the GM Front-Wheel Drive Two-Mode Transmission and the Toyota Hybrid System THS-II Transmission

SAE2011-01-0948_Backward-Looking Simulation of the Toyota Prius and General Motors Two-Mode Power-Split HEV Powertrains

再PS:烟烟不在家,写完洗完碗筷就得休息了。

相关资讯
日产与Wayve达成AI驾驶辅助合作!计划2027财年在日本首发

近日,日产汽车和总部位于英国的自动驾驶初创公司Wayve签署协议,合作开发基于人工智能的驾驶辅助系统。

京东重金布局存算一体AI芯片,“40K-100K×20薪”高调招募存算一体AI芯片人才!

京东开启招聘存算一体芯片设计工程师计划,薪酬高达“40K-100K*20薪”

铠侠2026年量产第十代NAND闪存,332层堆叠助力AI数据中心存储升级!

日本芯片制造商铠侠(Kioxia)计划于2026年在其岩手县晶圆厂开始生产新一代NAND闪存芯片。

英特尔、AMD、德州仪器遭指控!被指对芯片流入俄罗斯存在“故意漠视”

一系列诉讼指控芯片制造商英特尔、AMD及德州仪器公司,未能有效阻止其技术被用于俄罗斯制造的武器。

突发!台积电日本晶圆厂已停工,或直接升级至4nm工艺!

台积电日本子公司JASM熊本第二晶圆厂在 10 月下旬启动后近期处于暂停状态,重型设备已撤出工地