发布时间：2011-08-10 阅读量：732 来源: 发布人:
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*新款IHLP®小尺寸、高电流电感器- IHLP-3232CZ-01
器件采用3232外形尺寸、具有3.0mm厚度，感值为0.22μH～10.0μH，最大DCR低至1.61mΩ
宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 8 月 9 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布采用3232外形尺寸、3.0mm超薄的新款IHLP®小尺寸、高电流电感器- IHLP-3232CZ-01。小尺寸的IHLP-3232CZ-01具有高效率和低至1.61mΩ的最大DCR，以及0.22μH～10.0μH的标准感值范围。
新款IHLP-3232CZ-01的频率范围达5MHz，可在下一代移动设备、笔记本电脑、桌面电脑、服务器、图形卡、便携式游戏机、个人导航系统、个人多媒体设备和汽车系统等终端设备中用做电压调节模块(VRM)和DC-DC转换器，以及小尺寸、高电流电源和负载点(POL)转换器、分布式电源系统和现场可编程门阵列(FPGA)的高效能、节省空间和能源的解决方案。
IHLP-3232CZ-01的感值范围为0.22μH～10.0μH，饱和电流范围为8.2A～43.0A，热额定电流范围为4.7A～32.0A，最大DCR为1.61mΩ～71.20mΩ。
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新电感器可处理高瞬态电流，而不会硬饱和。器件的封装符合RoHS指令，100%无铅的屏蔽复合结构将蜂鸣噪声降至超低水平，标定的工作温度范围为-55℃～+125℃，能够很好地抵御热冲击、潮湿、机械冲击和振动。
新电感器现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十周。
韩国媒体Business Korea最新披露，全球处理器巨头AMD日前推出的革命性AI芯片MI350系列，已确认搭载三星电子最新研发的12层堆叠HBM3E高带宽内存。这一战略性合作对三星具有里程碑意义，标志着其HBM技术在新一代AI计算平台中获得核心供应商地位。
美国专利商标局近日授权苹果公司一项颠覆性专利（编号：US 11,985,623 B2），揭示了其下一代智能眼镜的模块化设计方向。该技术通过可拆卸式"支撑臂"（Securement Arms）创新结构，解决传统头戴设备舒适性与功能扩展的关键痛点。支撑臂从镜框两侧延伸，采用自适应力学分配系统，将设备重量分散至头部颞区及耳廓区域，有效降低鼻托70%以上压力负荷。
日本索尼半导体与美国存储巨头西部数据近日宣布达成战略合作，索尼将为西部数据下一代HAMR（热辅助磁记录）硬盘提供核心激光二极管组件。面对数据中心指数级增长的数据存储需求，此次合作标志着高容量硬盘技术产业化进程的关键突破。索尼计划投资50亿日元（约合3200万美元）在泰国工厂新建生产线，预计2026年该部件产能将实现翻倍增长。
2025年6月12日，TP-Link外销主体联洲国际（TP-Link Systems）位于上海张江的WiFi芯片部门启动重大裁员，从通知到离职手续仅用半天完成，涉及算法、验证、设计等核心岗位员工，仅保留少数成员。公司提供N+3的高额补偿方案，远高于中国法定的N+1标准，被视为当前裁员潮中的“清流”。行业分析指出，此次调整主要针对WiFi前端模块（FEM） 研发线，而非全面退出芯片领域。FEM作为连接芯片与天线的关键组件，其研发投入缩减与WiFi 7芯片量产进度延迟及成本控制压力直接相关。
2025年6月全球存储市场遭遇剧烈波动，DDR4内存现货价格单日暴涨近8%，创下近十年最大单日涨幅。据DRAMeXchange数据显示，截至6月13日，DDR4 8Gb（1G×8）3200颗粒均价飙升至3.775美元，单周涨幅达38.27%，本季度累计涨幅更突破132%。反常的是，DDR4价格竟反超新一代DDR5，形成罕见“价格倒挂”现象，业界直呼“十年未遇”。
