安森美针对汽车应用的混合信号方案

混合信号ASIC

不断增加的系统复杂性、无休止的成本压力、电子产品不断缩小的可用空间和不断增高的质量要求是持续地推动ASIC发展的最主要趋势。我们凭借三十年来在创建和集成功能电路模块方面的经验，针对客户的特定需求帮助他们达致这些严格的要求。我们将这些专长与专注的专用高压及混合信号技术、复杂的系统级集成诀窍及配合混合信号设计独特要求、贯彻公司的设计方法结合在一起。

最灵活的混合信号设计流程

客户服务和客户满意度无疑是放在第一位的。这一点在混合信号ASIC设计的初始阶段尤为明显。我们可以在规格尚未最终敲定之前或在设计某阶段或在布线阶段进行磋商。不管您要求的是交钥匙型、混合型(部分设计)还是全芯片型布线，我们都有完善的设计流程，尽力保证设计成功。

系统架构师

安森美半导体不仅拥有先进的混合信号制造技术及突破性的方法，还提供系统架构师专长，协助进行可行性评估和器件定义。这些前期步骤在项目寿命周期中至关重要，为混合信号开发设定了舞台，并常常决定了其成功与否。这些系统架构师都是在混合信号定制产品(包括系统级集成、传感器接口和低数据速率无线系统)方面拥有丰富经验的资深设计工程师。客户利用安森美半导体系统架构师的好处包括：

• 获得最高集成度，将分立元器件数量减至最少，并将占用的电路板空间减至最小
• 与ASIC专家协作，确定最优的系统方案
• 确定可制造及可行的ASIC方案
• 降低开发进度风险，加快总体上市进程

高压混合信号方案

安森美半导体为结合混合信号和高压功能的应用提供前沿的方案，在单颗芯片上集成高达100 V电压、低功耗技术、复杂的数字电路信信号处理功能。安森美半导体已就工作电压达80 V的新的高压0.35µm CMOS技术制定雄心勃勃的路线图。这I3T技术配合配合更多数字集成、结合混合模拟与智能电源高压结构的需求。这技术使客户能够开发复杂的高压智能电源SoC方案。公司的I2T技术平台包括0.7 µm 混合模式CMOS工艺生产的30 V、60 V和100 V的优化模块及嵌入式EEPROM 和一次性可编程(TOP)存储器。公司的0.5µm C5X混合信号工艺为客户提供中等密度的混合信号技术，可集成复杂的模拟功能与电压能力达20 V的数字电路。C5X工艺提供了专用混合信号0.5µm工艺的优点，省去了30 V、60 V 或100 V所需的额外掩模步骤。

灵活的多厂制造策略

灵活的制造策略成功地配合全球要求最严格的ASIC客户。我们可同时使用不同的技术推进不同的项目，并可在帮助客户快速上市的同时对生产批量的重大变化作出迅速应对。我们有专门的方法和后勤物流计划，按时按预算完成所有不同要求。这灵活的设计流程可以适应客户的各种特定设计和采购需求——从完整的交钥匙设计和制造服务到仅提供制造，从成品晶圆到完成测试和封装的器件。客户在与我们一起合作满足其混合信号需求时，不须改变他们的设计方法、投资新工具或是修改他们完善且成功的工艺。我们在美国设有一个8英寸和一个5英寸晶圆厂，及在欧洲设有一个6英寸晶圆厂。安森美半导体获得了众多业界最严格的质量认证，彰显我们能够符合多种不同市场客户的要求。