IR推出适用于内燃、混合动力和全电动汽车平台的MOSFET系列

发布时间：2011-08-12 阅读量：890 来源: 我爱方案网作者:

中心议题：
*车用平面 MOSFET 系列

国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出车用平面 MOSFET 系列，适用于内燃机 (ICE) 、混合动力和全电动汽车平台的多种应用。新器件系列采用了 IR 经过验证的平面技术，包括 55V 和 150V 标准栅极驱动 N 沟道 MOSFET，以及适用于高侧开关应用的 -55 V 和 -100 V 标准栅极驱动 P 沟道 MOSFET ，这些技术不需要额外的栅极驱动电荷泵。有关的30V、55V 和 100V 逻辑电平栅极驱动 N 沟道 MOSFET 简化了栅极驱动要求，能够减少电路板空间和零件数量。所有这些新器件都针对低导通电阻 (Rds(on)) 进行了优化。

IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示：“通过使用 IR 经过验证的平面技术，这些新型车用器件平台在线性模式以及需要用坚固的 MOSFET 来驱动高感性负载的应用中表现出色。此外，这些器件非常适合采用较高电路板净电压的汽车，如卡车等。”

新器件符合 AEC-Q101 标准，是在IR要求零缺陷的汽车质量理念下研制而成的，所采用的环保材料既不含铅，也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。

所有 IR 车用 MOSFET 产品都遵循 IR 要求零缺陷的汽车质量理念，并经过了动态和静态器件平均测试及 100% 自动晶圆级目视检查。AEC-Q101 标准要求器件在经过 1,000 次温度循环测试后，导通电阻变化幅度不能超过 20%。然而，经过延长测试后，IR的新款 AU 材料在 5,000 次温度循环时的最大导通电阻变化只有 12%，体现了这款材料的高强度和耐用性。

产品规格：标准栅极驱动

器件编号	封装	栅极驱动	V(BR)DSS (V)	10VGS时的最大导通电阻 (mΩ)	TC 为 25°C时的ID 最大值 (A)	10VGS 时的QG 典型值 (nC)
N 沟道器件
AUIRF3305	TO-220	标准	55	8.0	140	100
AUIRFR4105	DPak	标准	55	24.5	30	13
AUIRFZ34N	TO-220	标准	55	40.0	26	23
AUIRF3415	TO-220	标准	150	42	43	133
P 沟道器件
AUIRF4905	TO-220	标准	-55	20.0	-74	120
AUIRFR5305	DPak	标准	-55	65.0	-28	42
AUIRF9Z34N	TO-220	标准	-55	100	-17	23
AUIRFR5505	DPak	标准	-55	110	-18	21
AUIRFR9024N	DPak	标准	-55	175	-11	13
AUIRF9540N	TO-220	标准	-100	117	-23	65
AUIRFR5410	DPak	标准	-100	205	-13	39

产品规格：逻辑电平栅极驱动

器件编号	封装	栅极驱动	V(BR)DSS (V)	4.5VGS时的最大导通电阻(mΩ)	TC 为 25°C时的ID 最大值 (A)	4.5VGS 时的QG 典型值(nC)
AUIRLR2703	DPak	逻辑	30	65.0	22	15
AUIRL3705N	TO-220	逻辑	55	18.0	89	98
AUIRLR2905	DPak	逻辑	55	22.5	60	23
AUIRLR024N	DPak	逻辑	55	110	17	15
AUIRLR120N	DPak	逻辑	100	265	11	20

有关产品现已接受批量订单。相关数据和认证标准可浏览 IR 网页 www.irf.com 。IR 还提供 Spice 模型供索取。

专利和商标
IR® 是国际整流器公司 (International Rectifier Corporation) 的注册商标。文中所提及其它产品名称均为对应持有人所有的商标。

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