用于MRI设备的新系列无磁性表面贴装多层陶瓷片式电容器

发布时间:2011-08-13 阅读量:830 来源: 发布人:


中心议题:
        *用于MRI(磁力共振影像)设备的新系列无磁性表面贴装多层陶瓷片式电容器

宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 8 月 12 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出用于MRI(磁力共振影像)设备的新系列无磁性表面贴装多层陶瓷片式电容器(MLCC)--- VJ。VJ系列无磁性电容器采用C0G(NPO)和X7R/X5R电介质,提供多种外形尺寸、额定电压和电容值器件。

近年在超高电磁场技术发展下MRI的最新技术可以大大提高影像的清晰度。用于MRI或周边设备中的电子元器件要求采用不会干扰磁场的无磁性元器件。为满足这种需求,Vishay的VJ系列MLCC采用无磁性材料制造,在最后封装之前针对磁特性进行了100%的安全筛选。

Vishay的VJ系列器件采用湿法制造工艺和可靠的贵金属电极(NME)系统。Vishay的新款无磁系列电容器可以在使用导电环氧树脂粘合或红外回流焊的SMT工序中进行组装。这电容器比含有磁性材料的标准电容器的干扰较少。器件一般用在MRI设备、植入式医疗设备、对强磁性敏感的设备、电子测试系统和高端音频放大器的滤波电路中。

VJ系列具有0402至3640共11种外形尺寸,可承受6.3VDC~3000VDC的额定电压。器件的电容值范围为0.5pF~56nF(采用C0G电介质)和100pF~6.8μF(采用X7R/X5R电介质),工作温度范围-55℃~+125℃。电容器的容值温度系数(TCC)在-55℃~+125℃(C0G)条件下为±30ppm/℃,在-55℃~+85℃(X5R)条件下为±15%,-55℃~+125℃ (X7R)条件下为±15%。

器件符合RoHS指令2002/95/EC及符合IEC 61249-2-21的无卤素规定。

VJ系列无磁性电容器现可提供样品,并已实现量产,标准订货的供货周期为九周到十四周。。

相关资讯
三星HBM3E拿下AMD大单 288GB内存重塑AI算力格局

韩国媒体Business Korea最新披露,全球处理器巨头AMD日前推出的革命性AI芯片MI350系列,已确认搭载三星电子最新研发的12层堆叠HBM3E高带宽内存。这一战略性合作对三星具有里程碑意义,标志着其HBM技术在新一代AI计算平台中获得核心供应商地位。

苹果获智能眼镜模块化专利 液态玻璃技术革新可穿戴设备未来

美国专利商标局近日授权苹果公司一项颠覆性专利(编号:US 11,985,623 B2),揭示了其下一代智能眼镜的模块化设计方向。该技术通过可拆卸式"支撑臂"(Securement Arms)创新结构,解决传统头戴设备舒适性与功能扩展的关键痛点。支撑臂从镜框两侧延伸,采用自适应力学分配系统,将设备重量分散至头部颞区及耳廓区域,有效降低鼻托70%以上压力负荷。

激光二极管驱动存储革命:索尼半导体与西部数据联手拓展HAMR硬盘市场

日本索尼半导体与美国存储巨头西部数据近日宣布达成战略合作,索尼将为西部数据下一代HAMR(热辅助磁记录)硬盘提供核心激光二极管组件。面对数据中心指数级增长的数据存储需求,此次合作标志着高容量硬盘技术产业化进程的关键突破。索尼计划投资50亿日元(约合3200万美元)在泰国工厂新建生产线,预计2026年该部件产能将实现翻倍增长。

TP-Link芯片业务战略收缩:WiFi 7研发受阻与全球合规挑战

2025年6月12日,TP-Link外销主体联洲国际(TP-Link Systems)位于上海张江的WiFi芯片部门启动重大裁员,从通知到离职手续仅用半天完成,涉及算法、验证、设计等核心岗位员工,仅保留少数成员。公司提供N+3的高额补偿方案,远高于中国法定的N+1标准,被视为当前裁员潮中的“清流”。行业分析指出,此次调整主要针对WiFi前端模块(FEM) 研发线,而非全面退出芯片领域。FEM作为连接芯片与天线的关键组件,其研发投入缩减与WiFi 7芯片量产进度延迟及成本控制压力直接相关。

DDR4内存现十年罕见价格倒挂,产业链急备货应对停产危机

2025年6月全球存储市场遭遇剧烈波动,DDR4内存现货价格单日暴涨近8%,创下近十年最大单日涨幅。据DRAMeXchange数据显示,截至6月13日,DDR4 8Gb(1G×8)3200颗粒均价飙升至3.775美元,单周涨幅达38.27%,本季度累计涨幅更突破132%。反常的是,DDR4价格竟反超新一代DDR5,形成罕见“价格倒挂”现象,业界直呼“十年未遇”。