发布时间：2012-12-30 阅读量：660 来源: 我爱方案网 作者:
【导读】：新型 S 波段 GaN HEMT 器件的推出丰富了科锐高效 S 波段GaN晶体管与单片式微波集成电路（MMIC）产品系列，从而为客户在商用雷达系统高功率放大电路的应用中提供更多的选择。
2012年7月9日，中国上海讯 — 科锐公司（Nasdaq: CREE）宣布推出可适用于军用和商用S 波段雷达中的高效GaN HEMT 晶体管。新型 S 波段GaN HEMT 晶体管的额定功率为60W，频率为 3.1至3.5GHz 之间，与传统Si或 GaAs MESFET 器件相比，能够提供优越的漏极效率（接近70%）。同时，高效率和高功率密度的结合有助于最大限度地降低散热的要求，并减少在商用雷达系统应用中的尺寸与重量。
科锐无线射频（RF）及微波部门总监 Jim Milligan表示：“新型 S 波段 GaN HEMT 器件的推出丰富了科锐高效 S 波段GaN晶体管与单片式微波集成电路（MMIC）产品系列，从而为客户在商用雷达系统高功率放大电路的应用中提供更多的选择。高效的 S 波段 GaN HEMT 器件率，在具有优异信号保真度的同时扩展脉冲能力，并最大限度地降低散热管理需求，从而能够帮助无线射频设计工程师大幅度地降低雷达系统的尺寸和重量，同时扩大应用范围并降低安装成本。”
科锐 CGH35060 GaN HEMT 晶体管28V 工作电压下的额定脉冲功率为 60W（当脉宽为100微秒时），功率增益为12dB，漏极效率为 65%，与传统硅 LDMOS 器件相比高出50%。CGH35060 型 GaN 器件已经在高功率放大器参考设计（S 波段频率在3.1至3.5GHz 之间）中得到验证。与 GaAs和Si技术相比，CGH35060 还具有长脉冲、高功率性能（低于0.6dB）、优异的信号保真度以及非常低的功率衰减等特性。
新型GaN HEMT 晶体管与科锐 S 波段全套产品系列相匹配，包括CGH31240F/CGH35240F全面匹配240W GaN HEMT 器件（2.7 – 2.9GHz / 3.1 – 3.5GHz）以及CMPA2735075F两级封装GaN HEMT 单片式微波集成电路（MMIC）。
2025年5月22日，电子设计自动化领域巨头Cadence正式发布HBM4内存IP解决方案，其数据传输速率达到业界领先的12.8Gbps，较前代HBM3E产品带宽翻倍。该方案基于JEDEC最新发布的JESD270-4规范，针对AI训练与高性能计算（HPC）系统的内存带宽需求进行了全面优化。
2025年5月，全球半导体巨头意法半导体（STMicroelectronics，NYSE: STM）发布了业界首款集成双加速度计与AI处理功能的微型惯性测量单元（IMU）——LSM6DSV320X。该传感器在3mm×2.5mm的超小封装内融合了运动跟踪（±16g）和高强度冲击检测（±320g）能力，并通过嵌入式机器学习核心（MLC）实现了边缘智能。意法半导体APMS产品部副总裁Simone Ferri表示：“这一创新架构将为智能设备提供前所未有的交互灵活性和数据精度，推动消费电子、工业安全及医疗健康等领域的技术革新。”
全球TWS耳机市场在2025年第一季度展现出强劲复苏态势。根据Canalys最新数据，该季度全球出货量达7,800万台，同比增长18%，创下自2021年以来的最高增速。这一反弹标志着市场在经历阶段性调整后，正式迈入以技术迭代与消费升级为核心驱动力的新周期。
2025年5月，全球工业技术制造巨头Littelfuse（NASDAQ：LFUS）正式发布TLSM系列表面贴装轻触开关，凭借200万次超长寿命、SPDT（单刀双掷）配置及IP54防护等级，重新定义了高频使用场景下的开关可靠性标准。在当前消费电子微型化、工业设备智能化的趋势下，传统轻触开关普遍面临寿命短（10-100万次）、环境适应性差（高温/高湿下性能衰减）、触感与耐用性难以平衡等痛点。TLSM系列通过材料革新与结构优化，不仅解决了行业长期存在的技术瓶颈，更瞄准了工业4.0、智能汽车、医疗设备等新兴市场的增量需求。
根据Counterpoint Research及多家权威机构数据，2025年第一季度全球智能手机市场呈现弱复苏态势，出货量同比微增1%-3%，收入同步小幅攀升1%-3%。这一增长主要由亚太、中东及非洲等新兴市场需求驱动，而北美、西欧等成熟市场则因消费者信心疲软及地缘政治风险面临增长压力。值得注意的是，厂商策略分化显著：三星通过Galaxy S25系列巩固高端市场，苹果则以iPhone 16e布局中端市场，而小米、vivo等国产品牌凭借本土化创新与价格优势抢占份额。
