Micron推出业界最小的128Gb NAND闪存设备

发布时间:2013-02-22 阅读量:811 来源: 我爱方案网 作者:

产品特性:
    *  新型128Gb TLC设备面积仅146平方毫米

应用市场:
    *  消费类产品


Micron 近日推出业界最小的128千兆位(Gb) NAND闪存设备,其采用了其屡获殊誉的20纳米 (nm) 制程技术。新款128Gb设备每单元存储三位信息,称之为三层存储单元 (TLC),该存储器创立了一个高紧凑存储解决方案。

新型128Gb TLC设备面积仅146平方毫米,比Micron同等容量的20纳米多层(MLC) NAND存储设备小25%以上。该款128Gb TLC设备主要针对具价格竞争力的移动存储器市场(闪存卡和USB硬盘),该细分市场预计在2013年一季度将占整个NAND容量的35%。Micron 正向一些选定的客户提供128Gb TLC NAND样品,该产品将于二季度投产。

“这是业界最小、容量最大的NAND闪存设备,其将使消费类存储应用提高到一个新阶段”,Micron NAND解决方案集团副总裁Glen Hawk说。“我们每天都听到闪存的创新应用例子,使我们感到兴奋,这是Micron的机遇。我们承诺将不断丰富我们领先闪存解决方案的产品组合,以便加强为广大客户群服务的基础”。
相关资讯
Allegro公布2025财年首季业绩:营收增长22% 工业与电动汽车业务领跑

全球领先的传感器与功率IC解决方案供应商Allegro MicroSystems(纳斯达克:ALGM)于7月31日披露截至2025年6月27日的2025财年第一季度财务报告。数据显示,公司当季实现营业收入2.03亿美元,较去年同期大幅提升22%,创下历史同期新高。业绩增长主要源于电动汽车和工业两大核心板块的强劲需求,其中电动汽车相关产品销售额同比增长31%,工业及其他领域增速高达50%。

三星HBM份额暴跌至17%,SK海力士登顶全球存储器市场

受强劲的人工智能(AI)需求驱动,全球存储芯片市场格局在2025年第二季度迎来历史性转折。韩国SK海力士凭借在高带宽存储器(HBM)领域的领先优势,首次超越三星电子,以21.8万亿韩元的存储业务营收问鼎全球最大存储器制造商。三星同期存储业务营收为21.2万亿韩元,同比下滑3%,退居次席。

跻身英伟达核心圈:英诺赛科成800V HVDC联盟唯一中国GaN供应商

8月1日,英伟达官网更新其800V高压直流(HVDC)电源架构关键合作伙伴名录,中国氮化镓(GaN)技术领军企业英诺赛科(Innoscience)赫然在列。英诺赛科将为英伟达革命性的Kyber机架系统提供全链路氮化镓电源解决方案,成为该名单中唯一入选的中国本土供应商。此重大突破性合作直接推动英诺赛科港股股价在消息公布当日一度飙升近64%,市场反响热烈。

MPS发布强劲季报:毛利率55.1%稳居行业前列,战略转型显成效

全球领先的功率半导体解决方案供应商MPS(Monolithic Power Systems)于7月31日正式公布截至2025年6月30日的第二季度财务报告。数据显示,公司本季度业绩表现亮眼,多项核心指标实现显著增长,并释放出持续向好的发展信号。

工业5.0技术落地指南:贸泽电子发布自动化资源中心

贸泽电子(Mouser Electronics)于2025年8月正式推出工业自动化资源中心,为工程技术人员提供前沿技术洞察与解决方案库。该平台整合了控制系统、机器人技术及自动化软件的最新进展,旨在推动制造业向智能化、可持续化方向转型。