发布时间：2013-03-7 阅读量：677 来源: 我爱方案网 作者:
磐仪科技新推出搭载低功耗AMD G-T56N/T40N处理器及AMD FCH A55E芯片组的Mini-ITX规格工业用主板ITX-a55E3，并搭配内建2GB DDR3内存。除支持9~36伏宽电压输入，其电路设计亦具备充电功能；加上仅1.68公分的高度，符合各种嵌入式应用需求。
ITX-a55E3标准配备包括6个串行端口(4个RS-232、2个RS-232/422/485)、2个SATA埠、1个mSATA SSD插槽、8个USB 2.0、2个以太网络接口；另提供多种扩充插槽如1个PCI、1个PCIe x1 (搭配转接卡使用)、1个Mini-Card及1个SIM card，弹性化的扩充设计让客户在实际应用上更灵活。
ITX-a55E3提供显示接口包括高解析Analog RGB (2560 x 1600)、DVI (1920 x 1200) 及双通道24位LVDS (1920 x 1600)，可支持双屏幕独立显示；其优异的图形运算能力适合各种多媒体播放、3D影像处理，搭配内建触控屏幕控制组件可做数字广告牌、HMI等应用。
.jpg)
据The Verge等多家权威媒体报道，英伟达（NVIDIA）正联合联发科开发基于Arm架构的AI PC处理器，预计2025年底至2026年初正式推出。该芯片将整合Arm CPU核心与新一代Blackwell GPU架构，首款搭载设备已确认由戴尔旗下高端电竞品牌Alienware首发，目标直指高性能游戏本市场。
纳芯微电子最新推出的NSD2622N是一款针对增强型氮化镓（E-mode GaN）功率器件优化的高压半桥驱动芯片。该芯片通过创新性地集成正负压稳压电路（可调5V-6.5V正压与固定-2.5V负压）与高可靠性电容隔离技术，完美解决了GaN器件在高压大功率场景下易受串扰误导通、驱动电路设计复杂等核心痛点。其支持自举供电、超强200V/ns dv/dt抗扰能力以及2A/-4A峰值驱动电流，显著简化了系统设计，提升了电源效率和可靠性，为人工智能数据中心电源、光伏微型逆变器、车载充电机等高增长领域提供了极具竞争力的驱动解决方案。
在“双碳”目标驱动下，光伏组件功率持续提升（2025年主流组件功率突破700W），对旁路二极管的性能要求显著提高。华润微电子功率器件事业群（PDBG）基于肖特基二极管领域的技术积累，推出第二代180mil TMBS（Trench MOS Barrier Schottky）器件。该产品通过优化正向压降（VF）、反向漏电流（IR） 及高温工作特性，解决了高功率组件在热斑效应、高温环境下的可靠性痛点，目前已向天合、晶澳、晶科等头部光伏企业批量供货。
全球智能手机巨头三星电子正积极推动其人工智能服务多元化战略。权威消息显示，该公司已进入与美国AI搜索新锐Perplexity深度合作的最终谈判阶段，计划在明年初发布的Galaxy S26系列中整合其尖端技术。此举标志着消费电子行业头部玩家正加速构建独立于传统搜索引擎巨头的AI生态体系。
据TrendForce集邦咨询统计，2025年第一季度全球DRAM产业营收达270.1亿美元，较上季度缩减5.5%。此轮下滑主要受两大因素驱动：一是标准型DRAM合约价持续走低，二是高带宽内存（HBM）出货规模阶段性收缩。市场进入技术转换关键期，三大原厂制程升级导致产能结构性调整，为二线厂商创造了新的市场机遇。
