低成本氮化镓衬底HVPE系统，助力降低LED成本

极特先进科技公司(GT Advanced Technologies)(NASDAQ:GTAT)与Soitec(NYSE Euronext:SOI)今日宣布了一项开发及许可协议，根据该协议，GT将开发、生产和商业化大容量多晶圆HVPE系统。这一HVPE系统将用于生产LED或其他高增长行业（例如电力电子行业）所用衬底的优质GaN外延薄膜。与传统的金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺相比，HVPE系统可能带来更高的增长率并改进材料特性，有望显著降低工艺成本，同时提高设备性能。协议中规定的专利技术许可费的首期预付款已经开始支付，但是具体条款尚未对外披露。

Soitec Phoenix Labs（Soitec旗下的一家子公司）拥有独家HVPE专利技术，包括有望降低输送至HVPE反应器的前驱体成本的新颖且先进的源输送系统。GT公司将利用上述HVPE专利技术来开发、生产和商业化HVPE系统。这一HVPE系统可实现GaN模板蓝宝石衬底的规模化生产。HVPE系统预计将于2014年下半年上市。

Soitec Phoenix Labs副总裁兼总经理Chantal Arena表示："我们已在GaN外延工艺开发方面倾注了六年多的时间，并且在HVPE技术方面也已取得了关键性突破。这一技术对生产高质量、低成本的蓝宝石衬底的GaN薄膜至关重要。今天，我们和GT公司共同宣布的开发和许可协议是这项工作的终极证明，同时这项协议是建立在去年我们与Silian共同公布的协议基础之上，其时协议的目的旨在将基于HVPE的技术集成入其蓝宝石中。这使得Soitec能够针对差异化的技术和产业合作伙伴提供包括材料和设备在内的不同层次的LED照明系统产品。Soitec Phoenix Labs在外延附生技术和GaN材料方面的精深专业技能， 将成为GT公司向市场提供革命性HVPE系统的关键性因素。"

GT 总裁兼首席执行官Tom Gutierrez表示："GT公司在提供改变行业（如太阳能PV和LED）的创新设备方面拥有良好的成功记录。随着我们不断拓展新的高价值技术以扩大业务范围和向市场提供成功的解决方案，我们希望找拥有合适技术的合作伙伴，以与我们的设备业务形成互补。在经过广泛的寻找之后，我们最终与Soitec签订了协议。在GaN工艺专有技术方面，Soitec Phoenix Labs带来了高水平的专长和技术经验。当HVPE系统上市时，我们相信新的HVPE系统将成为一个重要因素，能够进一步降低LED设备成本并帮助推动行业形成更强的竞争力和更大的增长。"