拆解探秘:如何降低LED灯的体积和成本

发布时间:2013-03-26 阅读量:1228 来源: 我爱方案网 作者:

【导读】LED一直以来都是一个热门话题,现在很多厂家都在生产LED灯,面对这种大规模的生产如何让自己的产品在同行中成为热销产品呢?这里为大家用拆解的方式介绍一种如何降低你的LED灯的体积和生产成本,让您更有优势!

LED灯泡的价格正在下降。一年前,你可能要花50美元购买相当于60W的飞利浦可调光式LED灯,而现在去百思买购买一个8W、800流明,相当于60W的自有品牌Insignia灯,只要17美元。LED灯泡设计究竟有哪些变化推动了价格的下降?拆解让我们能够一窥LED照明的设计趋势,例如LED在灯泡内如何放置的,以及采用了什么驱动器架构。Insignia球形灯的外观和节能灯类似,增加了三个金属散热片,并且用塑料灯球替代了玻璃灯球(图1)。

Insignia球形灯

灯泡的调光功能对美国市场来说是个相当重要的功能。我用过Lutron Maestro调光开关,配备了可编程的调光控制,并且和节能灯做了逐项的对比。Insignia调光一致且平滑,调光也类似于节能灯。

 

 

下一步就是观察灯球内部结构,看看LED是如何安装在里面的。图2中,塑料灯球罩已经用Dremmel工具拆下,可以看到里面6颗Cree的白色LED,照亮灯泡的光混合腔,确保照明的均匀度,防止光像素化。LED安装在金属片上,金属片一面支撑了LED,一面支撑着散热片。

塑料灯球罩已经用Dremmel工具拆下

光混合腔的底部是纸片般薄的铝反光片,能够将光向上并向灯泡外反射。

这款灯泡的所有电子部件都在灯底座的镜面下,是独立且包裹着的部件。

去掉封胶,就能看到电子部件安装在两个独立的pc板上,紧贴彼此。图3是两款独立的pc板,挨着灯泡及底座。

两款独立的pc板,挨着灯泡及底座

 

为方便对比,图4所示是一年前拆解的LED灯的驱动电路。不仅包装与现在的不同,可以看到其电子部件也更多。例如旧的设计使用了3个电解电容和一个很大的变压器。

一年前拆解的LED灯的驱动电路

图5所示,2个不同代的驱动器并列摆放:Insignia的驱动器是2个相对较小的板子。这引出了一个问题:灯泡用了什么样的LED驱动IC?为什么能采用这么小的驱动器?

2个不同代的驱动器并列摆放

 

图6则回答了这个问题:极小的IC上的“SUL B”说明这款产品是德州仪器的LM3445.没有变压器,说明LED驱动器设计是非隔离式的。

LED驱动器设计是非隔离式的

非隔离灯泡已有先例:白炽灯泡的设计本身就是非隔离。如果你打破了插在底座上的白炽灯泡玻璃,就能直接接触交流电线路。显然,非隔离设计能够完全兼容UL规格。(虽然非隔离AC-DC LED驱动器的设计可以既安全又符合UL规格,但请记住,在实验室开发和测试一个非隔离的离线LED驱动器需要注意安全程序。)

要想弄清楚LED驱动电路设计的具体情况,我们可以查看德州仪器的应用笔记AN 2061 LM3445 A19 Edison Retrofit Evaluation Board(PEF)里的降压直流转换器,原理图见图7。

德州仪器的应用笔记AN 2061 LM3445 A19 Edison Retrofit Evaluation Board(PEF)里的降压直流转换器原理图

为了将所有LED驱动电路塞进底座,Insignia的设计师放弃单片矩形板,将其分厂两片圆形的PC板(见图 3)以适应灯泡底部空间,并且与LED物理分离。唯一深入灯泡的线缆是低功耗直流线缆,电压在8–9V左右。更多关于调光控制性能的细节和照片可以在这里看到。

总结

将Cree LED放在三片灯泡表面的散热片上。这样就能快速散去热量,保证热量不会影响电源电子器件。

强制LED灯泡兼容与白炽灯相同的外壳,便能迫使电源控制电子器件不超出小巧的底座。

采用非隔离式降压型拓扑结构降低部件数量。更少的部件意味着更低成本、更小尺寸以及更高的可靠性。

Insignia是目前市面上性价比最好的LED灯泡之一。

相关资讯
AMD vs NVIDIA:MI355X与B200的AI加速器性能终极对决

2025年6月,AMD正式发布基于CDNA4架构的Instinct MI350系列AI加速器,包含MI350X(1000W风冷)和MI355X(1400W液冷)两款型号。该系列采用台积电N3P 3nm制程与CoWoS-S先进封装,集成1850亿晶体管,配置288GB HBM3e显存与8TB/s带宽,较上代实现4倍训练性能与35倍推理性能提升。其突破性支持FP4/FP6低精度格式,为生成式AI与大语言模型提供革命性算力支持。

美国半导体本土化进程遭遇“邻避挑战”,多座晶圆厂建设受阻

尽管美国《芯片与科学法案》为本土半导体制造注入强劲动力,部分重大投资项目却因环境审查与社区抗议陷入停滞。研究机构SemiAnalysis最新报告指出,包括安靠(Amkor)、美光(Micron)及SK海力士(SK Hynix)在内的多家企业工厂建设因“邻避情结”(NIMBY)和漫长许可流程面临延期,凸显美国芯片制造本土化进程中的现实阻力。

三星加速推进2nm GAA工艺量产,Exynos 2600迈入关键生产阶段

韩国科技巨头三星电子在尖端半导体工艺上的突破迎来重要进展。采用三星自主研发的第二代环绕栅极晶体管(2nm GAA)制造工艺的Exynos 2600原型芯片已顺利进入量产阶段。这一举措标志着三星在将下一代先进制程技术推向市场应用方面迈出了坚实一步。

三星HBM3E三次认证折戟,AI内存供应面临变局

三星电子在冲击AI内存高地的征途上遭遇阻力。2025年6月,其12层HBM3E芯片未通过英伟达的第三次技术认证。这家科技巨头被迫调整战略,计划于9月发起第四次认证冲刺。为把握AI内存需求机遇,三星此前已提前提升HBM3E芯片产能,但此次认证延期显著推迟了其供应时间表。

2025年Q1全球智能手机市场分析:总量小幅回调,三星领跑,中国市场政策效应显现

据权威市场调研机构TrendForce集邦咨询发布的最新数据统计,2025年第一季度全球智能手机生产总量约为2.89亿部,较2024年第一季度同比下降约3%,显示出整体市场需求依然偏谨慎。