8端口控制器芯片组,打造低成本、小空间设计方案

发布时间:2013-05-7 阅读量:831 来源: 我爱方案网 作者:

【导读】凌力尔特推出的隔离式8端口控制器芯片组,提供了8个独立的PSE通道,可实现更简单和组件数目更少的设计、减小电路板空间并最终降低解决方案总体成本。从而实现更坚固、更易于制造的设计。

凌力尔特公司推出隔离式8端口供电设备(PSE)控制器芯片组LTC4290/LTC4271,该芯片组为用于IEEE 802.3at (PoE+) Type 1和Type 2兼容型以太网供电(PoE)系统而设计。LTC4290/LTC4271提供8个独立的PSE通道,可实现更简单和组件数目更少的设计、减小电路板空间并最终降低解决方案总体成本。LTC4271提供至PSE主机的数字接口,而LTC4290提供高压以太网接口。这两款IC可通过廉价的以太网变压器桥接。变压器隔离式通信协议取代了多达6个在传统设计中使用的昂贵光耦合器和一个复杂的隔离式3.3V电源,从而极大地节省了成本,并实现了更坚固、更易于制造的设计。

LTC4290/LTC4271芯片组在流行的兼容性测试中,赢得了能与PoE+和PoE系统100%互操作的评分。当与LT4275受电设备(PD)控制器配对使用时,完整的端到端LTPoE++系统在与PoE+ 和PoE保持完全兼容的同时,还可提供高达90W的功率。

用户将非常欢迎80V端口引脚所提供的坚固性和业界最低的功耗,与采用更易损坏和RDS(ON)通常较高的MOSFET进行设计相比,使用LTC4290/LTC4271时的热设计要容易得多。PD发现是用一种专有的双模式、4点检测机制来完成,该机制确保了最佳的抗PD误检测能力。先进的电源管理包括排定优先级的快速停机、每端口12位电压及电流回读、8位可编程电流限制和7位可编程过载电流限制、以及现场可升级的固件。1MHz I2C接口允许主控制器以数字方式配置该IC或查询端口读数。“C”语言库还可用来降低NRE并加速产品上市。

LTC4290有3种功率级:A级用凌力尔特的LTPoE++信号支持38.7W、52.7W、70W和90W的PD;B级用PoE+信号支持高达25.5W的PD;C级用PoE信号支持高达13W的PD。所有芯片组都可提供工业温度范围。LTC4290采用RoHS兼容的40引脚6mm x 6mm QFN封装,而LTC4271采用24引脚4mm x 4mm QFN封装。LTC4290/LTC4271芯片组的千片批购价为每片10.00 美元,并已开始批量供货。LTC4290/LTC4271是凌力尔特的首款8端口PSE控制器,对LTC4274单端口、LTC4266四端口和LTC4270/LTC4271 12端口PSE控制器起到了补充作用。

变压器隔离式8端口PSE控制器降低成本

图 变压器隔离式8端口PSE控制器降低成本

性能概要:LTC4290/LTC4271

●8个独立的PSE通道

●与 IEEE 802.3at Type 1和Type 2兼容

●芯片组提供电气隔离

    ○降低BOM成本

    ○去掉了多达6个高速光耦合器

    ○无需隔离式3.3V电源

●低功耗

    ○每通道0.25Ω检测电阻

●可靠性非常高的4点PD检测

    ○两点强制电压

    ○两点强制电流

●VEE和VPORT监视

●1秒滚动IPORT平均

●支持两对和4对输出功率

●1MHz I2C兼容的串行控制接口

●提供3种功率级

    ○A 级 – LTPoE++ 38.7W 至 90W

    ○B 级 – PoE+ 25.5W

    ○C 级 – PoE 13W

●40引线6mm x 6mm (LTC4290) 和24引线 4mm x 4mm (LTC4271) QFN 封装

相关阅读:

凌力尔特公司新增降压型微型模块稳压器 LTM4613
http://www.52solution.com/cp-art/80009134
凌力尔特赢得高利润的秘诀
http://www.52solution.com/auto-art/80013768
凌力尔特推出高精确度的高压电池监视器
http://www.52solution.com/auto-art/80012786

相关资讯
日产与Wayve达成AI驾驶辅助合作!计划2027财年在日本首发

近日,日产汽车和总部位于英国的自动驾驶初创公司Wayve签署协议,合作开发基于人工智能的驾驶辅助系统。

京东重金布局存算一体AI芯片,“40K-100K×20薪”高调招募存算一体AI芯片人才!

京东开启招聘存算一体芯片设计工程师计划,薪酬高达“40K-100K*20薪”

铠侠2026年量产第十代NAND闪存,332层堆叠助力AI数据中心存储升级!

日本芯片制造商铠侠(Kioxia)计划于2026年在其岩手县晶圆厂开始生产新一代NAND闪存芯片。

英特尔、AMD、德州仪器遭指控!被指对芯片流入俄罗斯存在“故意漠视”

一系列诉讼指控芯片制造商英特尔、AMD及德州仪器公司,未能有效阻止其技术被用于俄罗斯制造的武器。

突发!台积电日本晶圆厂已停工,或直接升级至4nm工艺!

台积电日本子公司JASM熊本第二晶圆厂在 10 月下旬启动后近期处于暂停状态,重型设备已撤出工地