ADI测量精度高达0.1%的两线环路供电变送器解决方案

在AI与可穿戴设备爆发式发展的背景下，传统霍尔传感器受限于封装尺寸（普遍≥1.1×1.4mm）和功耗水平（通常＞4μA），难以满足AR眼镜、智能戒指等新兴设备对空间与能效的严苛需求。艾为电子依托17年数模混合芯片设计经验，推出新一代Hyper-Hall系列霍尔传感器，通过0.8×0.8×0.5mm FCDFN封装与0.8μA工作功耗（后续型号将达0.1μA），实现体积较传统方案缩小60%，功耗降低80%。该系列支持1.1-5.5V宽电压，覆盖18-100Gs磁场阈值，提供推挽/开漏双输出模式，为微型电子设备提供底层传感支撑。

韩国科学技术院（KAIST）近期发布长达371页的技术预测报告，系统勾勒出2026至2038年高带宽内存（HBM）的发展路径。该研究基于当前技术趋势与行业研发方向，提出从HBM4到HBM8的五大代际升级框架，覆盖带宽、容量、能效及封装架构的突破性演进。

韩国媒体Business Korea最新披露，全球处理器巨头AMD日前推出的革命性AI芯片MI350系列，已确认搭载三星电子最新研发的12层堆叠HBM3E高带宽内存。这一战略性合作对三星具有里程碑意义，标志着其HBM技术在新一代AI计算平台中获得核心供应商地位。

美国专利商标局近日授权苹果公司一项颠覆性专利（编号：US 11,985,623 B2），揭示了其下一代智能眼镜的模块化设计方向。该技术通过可拆卸式"支撑臂"（Securement Arms）创新结构，解决传统头戴设备舒适性与功能扩展的关键痛点。支撑臂从镜框两侧延伸，采用自适应力学分配系统，将设备重量分散至头部颞区及耳廓区域，有效降低鼻托70%以上压力负荷。

日本索尼半导体与美国存储巨头西部数据近日宣布达成战略合作，索尼将为西部数据下一代HAMR（热辅助磁记录）硬盘提供核心激光二极管组件。面对数据中心指数级增长的数据存储需求，此次合作标志着高容量硬盘技术产业化进程的关键突破。索尼计划投资50亿日元（约合3200万美元）在泰国工厂新建生产线，预计2026年该部件产能将实现翻倍增长。