MTK适用于低端智能手机的无源分立器件充电方案

发布时间:2013-07-1 阅读量:873 来源: 我爱方案网 作者:

【导读】iPhone的出现引领智能手机走进了千家万户。随着消费者对于智能手机功能以及体验需求不断提升,使得智能手机厂家不断的追求硬件参数高配置。CPU核数以及屏幕尺寸不断的变大严重挑战着智能手机的待机时间。大容量电池的出现必然带来长时间的充电时间,同时也对充电技术提出了更高的要求。

2012年智能手机用户满意度调查报告表明手机电池是智能手机的使用瓶颈。该调查还显示,手机电池的耗电量是决定客户是否对手机满意的最重要因素之一。一款简单的功能机,充满电后放上十天半个月不充电也是稀松平常的事。但是智能手机每天都得插上充电器,就像回到了有线电话时代,总有条“绳子”跟着你的手机。很遗憾锂电池技术突破远远没有跟上其它硬件的发展脚步,智能手机耗电激增更是将手机电池推向了绝对的瓶颈期。这种情况下,想要在电池端下工夫,只能增加电池体积以增大容量。目前主流手机电池容量多在1000-2000mAh之间,大尺寸的机器会出现配备2500mAh电池的手机,而华为的mate更是配了4050mAh的电池。

大容量电池必然带来长时间的充电时间,同时对智能手机的充电技术提出了更高的要求。

MTK无源分立器件充电方案

分立器件充电方案主要是从功能机时代延续过来,如图1为MTK平台目前在功能机平台以及低端智能手机平台的主流充电方案。充电的控制全部靠主平台来控制,通过两路ADC检测引脚ISENS/BATSNS之间0.2欧姆电阻的电压差,内部的逻辑电路会设置流过R1电阻的电流来实现对电池充电电流大小的控制,而且还通过7.5K电阻以及NMOS管隔离BB或者PMU直接面对VCHG充电器输出的脉冲高压冲击,确保不会因为劣质适配器输出的高压烧坏主芯片。

MTK适用于低端智能手机的无源分立器件充电方案

 
分立器件充电方案的优劣势:优势是成本足够便宜,劣势就是充电电流比较少。

目前市面主流的设置是 500mA,而且充电的保护机制主要是靠平台自身的软硬件来实现。分立器件充电方案的优缺点都比较明显,但是在功能机时代,分立器件的优势得到极大发扬, 而充电电流比较少的劣势在功能机时代并没有给消费者带来太差的体验感。正因为这样,分立器件充电这套方案成为了所有功能机平台的主流充电方案。
 
MTK适用于低端智能手机的无源分立器件充电方案

但是随着智能手机电池容量的不断增大,分立器件充电电流较少的劣势不断显现,因为成本的考虑,很多厂家想通过分立器件的方式来提升充电电流。但是分立器件由于散热的太差很难实现较大电流充电,图2 是图1电路中大电流通路的三极管两种封装图,从早期的SOT23-6封装发展到为了支持更大电流充电的DFN2X2-8封装,但是分立器件自身的结构只能通过管脚对空气散热,限制了不管是哪种封装都没有办法取得很好的散热效果。类似的有源功率器件采用DFN、QFN封装,看中的是可以利用封装底部的散热盘,这个散热盘要有好的散热效果必须接主板的大地,而无源的分立器件没有办法利用到散热盘的这个有效散热功能。

总的来看,无源分立器件充电方案适用于功能机以及单核超低端智能手机的首选,毕竟成本才是第一位,而且CPU以及小尺寸的屏幕耗电还处于相对比较低,手机的电池容量也不会太大。 
相关资讯
Teledyne推出三款航天级CMOS传感器:攻克太空成像可靠性难题

Teledyne e2v最新推出的三款航天级工业CMOS传感器(Ruby 1.3M USVEmerald Gen2 12M USVEmerald 67M USV),分辨率覆盖130万至6700万像素,均通过Delta空间认证及辐射测试。这些传感器在法国格勒诺布尔和西班牙塞维利亚设计制造,专为极端太空环境优化,适用于地球观测卫星恒星敏感器宇航服摄像机及深空探测设备。产品提供U1(类欧空局ESCC9020标准)和U3(NASA Class 3)两种航天级筛选流程,并附辐射测试报告与批次认证。

英特尔Nova Lake桌面处理器解析:52核异构设计颠覆性能格局

英特尔下一代桌面处理器Nova Lake-S(代号)的完整规格于2025年6月密集曝光,其颠覆性的核心设计接口变革及平台升级,标志着x86桌面平台进入超多核时代。本文将结合最新泄露的SKU清单与技术细节,系统性解析该架构的革新意义。

高通双芯战略落地:骁龙8s Gen5携台积电N3P制程卡位中高端市场

根据最新行业信息及供应链消息,高通2024年芯片战略路线图逐渐清晰。除下半年旗舰平台Snapdragon 8 Gen 2 Elite(代号SM8850)外,公司还将布局定位精准的次旗舰产品线——Snapdragon 8s Gen 5(代号SM8845),通过架构复用策略实现性能与成本的动态平衡,进一步完善中高端安卓终端市场布局。

三星430层V10 NAND量产推迟至2026年,技术瓶颈与成本压力成主因

据供应链最新消息,三星电子原定于2025年下半年启动的430层堆叠V10 NAND闪存大规模量产计划面临延期。行业内部评估显示,该项目预计推迟至2026年上半年方能落地,技术实现难度市场需求波动及设备投资压力构成核心制约因素。

Littelfuse KSC PF系列密封轻触开关:灌封友好型开关时代来临

Littelfuse推出的KSC PF系列密封轻触开关专为严苛环境设计,采用表面贴装技术(SMT),尺寸紧凑(6.2×6.2×5.2 mm),具备IP67级防护(完全防尘、1米水深浸泡30分钟不进水),并通过延伸式防护框设计优化灌封工艺。灌封是将PCB元件封装在树脂中以抵御腐蚀、振动和热冲击的关键工艺。传统开关因扁平防护框限制树脂覆盖深度,而KSC PF的延伸结构允许更深的灌封层,提升对PCB整体元件的保护,同时支持鸥翼式或J形弯脚端子选项,适用于工业自动化、医疗设备、新能源汽车等高可靠性领域。