发布时间:2013-07-29 阅读量:1006 来源: 我爱方案网 作者:
功能模块 | 品牌 | 产品类别 | 推荐产品 | 产品特点和优势特征 |
电源管理 | Renesas | PMD/IGBT | RJH60D系列 | 导通Vce低 |
PMD/Mosfet | RJL60系列 N600x系列 | 寄生Di高速trr型 | ||
Micrel | LDO | MIC5xxx | 规格齐全、功率密度高 | |
DC-DC | 功率密度高、封装小、性价比高 | |||
处理单元 | Renesas | MCU | RX62T | 三相PWM定时器、5V工作、AD强化 |
RL78 | 16位单片机,性能优异 | |||
78K0/78k0S | ||||
Silabs | MCU | C8051F85x/86x | 简单易用 | |
SiM3C2xx | 专门为电机驱动而开发 | |||
Melexis | 控制器 | MLX812xx | 集成MCU和三相逆变驱动器,设计简单,技术独特 | |
控制执行 | Melexis | 驱动器 | MLX8320x | 三相逆变驱动器 |
AVAGO | 驱动光耦 | ACPL-W314 ACPL-33xJ | 稳定可靠 | |
Silabs | 磁隔离驱动 | SI822x/23x | 高度集成 | |
MICREL | 模拟产品 | MIC4604 | MOSFET 半桥驱动,小封装,低静态电流,高集成度 | |
传感采集 | AVAGO | 增量编码器 | AEDS-9430 | 高稳定性,高精度,高可靠性 |
采样光耦 | HCPL-7520 HCPL-7580 | 精度高,稳定可靠 | ||
Silabs | 磁隔离采样 | SI85xx | 电容隔离技术,抗干扰能力强 | |
Melexis | 位置传感器 | MLX9036x | 独有三轴HALL专利技术,可编程绝对位置输出,可编程测量范围,可编程输出曲线(多点或线性分段), 可模拟输出或PWM输出, 12 位分辨率, 48 位ID识别码. | |
电流传感器 | MLX91205、MLX91206、MLX91207 | 独有三轴HALL专利技术,可编程高速霍尔传感器芯片,带宽DC - 90kHz,响应时间短 | ||
REP-AVAGO | 位置传感器 | 35H、35T、48T | 六通道编码器,U、V、W信号可以提供供电的相位信号,A、B信号可以提供电机转速及方向等信息,I输出为零位信号。编码器外径:35mm、48mm,编码器精度:2500CPR | |
位置传感器 | RA48 | 六通道编码器,U、V、W信号可以提供供电的相位信号,A、B信号可以提供电机转速及方向等信息,I输出为零位信号.编码器外径:48mm,编码器精度:2500CPR | ||
RA30、HKT30 | 三通道编码器,A、B信号可以提供电机转速及方向等信息,I输出为零位信号。编码器精度:100-3600CPR可选 |
荷兰半导体巨头恩智浦于2025年4月28日披露的财报显示,公司第一季度营收28.35亿美元,同比、环比均下滑9%,但略超市场预期。在汽车、工业与物联网等核心业务需求疲软的背景下,Non-GAAP毛利率同比下降2.1个百分点至56.1%,自由现金流则维持在4.27亿美元,突显其成本控制能力。值得关注的是,管理层对第二季度营收指引中值(29亿美元)释放出环比复苏信号,但关税政策的不确定性仍为业绩蒙上阴影。
根据IDC最新发布的企业级存储市场追踪数据,2024年中国存储产业迎来结构性增长拐点。全年市场规模达69.2亿美元,在全球市场占比提升至22%,展现出强劲复苏态势。以浪潮信息为代表的国内厂商持续突破,在销售额(10.9%)和出货量(11.2%)两大核心指标上均跻身市场前两强,标志着本土存储生态的成熟度显著提升。
全球消费电子巨头索尼集团近期被曝正酝酿重大战略调整。据彭博社援引多位知情人士透露,该集团拟对旗下核心半导体资产——索尼半导体解决方案公司(SSS)实施部分分拆,计划于2023年内推动该子公司在东京证券交易所独立IPO。该决策标志着索尼在半导体产业布局进入新阶段,同时也预示着全球图像传感器市场格局或将发生重要变化。
在2025上海国际车展上,移远通信推出的全新车载蜂窝天线补偿器引发行业关注。该产品通过双向动态补偿、微秒级频段切换及混频电路集成等核心技术,解决了车载通信中长期存在的射频链路损耗难题,为智能网联汽车提供稳定高效的通信支持。本文将从技术优势、竞争分析、应用场景及市场前景等多维度解读这一创新方案。
在全球DRAM市场格局加速重构的背景下,三星电子近期宣布将跳过第八代1e nm工艺节点,转而集中资源开发基于垂直通道晶体管(VCT)架构的下一代DRAM技术。据内部路线图显示,三星计划在2027年前实现VCT DRAM量产,较原定计划提前一个世代。该技术通过三维堆叠晶体管结构,将存储单元面积缩减30%,并利用双晶圆混合键合工艺解决信号干扰问题,被视为突破传统平面工艺物理极限的核心方案。