发布时间:2013-10-30 阅读量:667 来源: 我爱方案网 作者:
2013年10月30日 – 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)推出两款通过AEC认证的集成电路(IC)。这两款IC具有宽输入电压范围及宽广工作温度范围,极适合于汽车动力系统及车厢内应用。
NCV8876非同步升压控制器工作输入电压范围为2伏(V)至44 V,带有自动唤醒及关闭功能,其设计用于为汽车启动-停止条件期间提供最小输出电压,以应付汽车电池电压突降。当供电电压下降至低于7.2 V时,NCV8876启动;一旦此电压降至低于6.8 V,升压工作启动,NCV8876驱动外部N沟道MOSFET。此器件在休眠模式下仅消耗11微安(µA)的静态电流,故将功耗降至最低。NCV8876提供多种保护功能,包括逐周期限流、过热关闭(阈值为170°C)及断续模式过流保护。它的峰值电流模式控制及内置斜坡补偿确保器件在完整电压范围内的稳定性。这也确保它在电流故障条件下受到保护,即在超过电流极限时,在开关周期的剩余时间内关闭电源开关。
NCV896532 2.1兆赫兹(MHz)开关频率双通道降压DC-DC降压转换器旨在用于集成于当今汽车中的复杂驾驶辅助系统。它的两个通道都可外部调节(范围为0.9 V至3.3 V),能提供达1,600 mA的电流。同步整流功能使这器件能够提升系统能效。这器件还加入了集成软启动、逐周期限流及过热关闭保护等功能,表示这器件极适合在严格汽车环境中应用。NCV8876及NCV896530均支持-40 °C至150 °C的结点温度范围。
安森美半导体汽车产品分部总监Jim Alvernaz说:“NCV8876是能够针对汽车电池电压低条件自动作出反应的现成器件,而其它可选 方案要么要求设计定制专用集成电路(ASIC),要么基于分立元件但提供慢得多的响应时间。NCV896530由于提供2.1 MHz开关频率,不会与调幅(AM)频段相互干扰,因为它的两个通道彼此180°异相,电压轨上的峰值电流需求大幅下降。”
封装及价格
NCV8876采用SOIC-8封装供货,NCV896530采用DFN-10封装。NCV8876和NCV896530符合RoHS指令,每3,000片批量的单价分别为0.90美元和1.20美元。
关于安森美半导体
安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)致力于推动高能效电子的创新,使工程师能够减少全球的能源使用。公司全面的高能效电源和信号管理、逻辑、分立及定制方案阵容,帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、军事/航空及电源应用的独特设计挑战。公司运营敏锐、可靠、世界一流的供应链及品质项目,及在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的业务网络。
2025年二季度欧洲智能手机市场格局迎来重要变动。小米集团手机部总裁卢伟冰8月5日发布数据显示,小米以23%的市场份额超越苹果跃居欧洲第二,同比增长11%,成为当季增速最快的头部品牌。三星仍以31%的份额领跑市场,苹果因4%的同比下滑退居第三,联想(5%)和realme(4%)分列第四、五位。
2025年8月5日,海光信息技术股份有限公司发布半年度业绩报告。财报显示,公司上半年实现营业收入54.64亿元,较去年同期大幅增长45.21%;归母净利润达12.01亿元,同比增长40.78%;扣非净利润10.9亿元,增幅33.31%。基本每股收益0.52元,同比提升40.54%,核心财务指标均呈现高速增长态势。
在北京举行的昇腾计算产业发展峰会上,华为轮值董事长徐直军正式公布了一项重大举措:华为CANN Mind系列应用套件及工具链实现全面开源。此举旨在通过支持开发者的深度挖掘和自定义开发,显著降低昇腾AI平台的使用门槛,推动其"更好用、更易用"目标的实现,加速产业创新步伐。
据韩国媒体The Elec最新报道,三星电子正式调整其DRAM产能规划,将原定于2025年底停产的1z纳米制程DDR4 DRAM生产线延期至2026年12月。这一重大策略反转源于全球DDR4供需结构的剧烈变化,以及三星在高带宽内存(HBM)市场竞争中的阶段性承压。
德国半导体巨头英飞凌于8月5巨头英飞凌于8月5日发布2025财年第三季度财报,多项关键指标表现强劲。尽管面临美元汇率波动及全球贸易政策不确定性,公司仍实现营收37亿欧元(约合42.7亿美元),环比增长3%,符合市场预期。若排除汇率影响,当季营收增幅可达9%,突显其业务内生增长动能。