ARM Cortex A17最新构架解析,比肩A15、踩死A12

发布时间:2014-02-17 阅读量:754 来源: 发布人:

【导读】ARM在2月11号发布了新的内核架构,但起了个不伦不类的名字“Cortex-A17”。看上去,它比32位架构中的顶级内核Cortex-A15还要高级,但实际上只是Cortex-A12的改进版本,定位中端,为2015年的主流市场做准备,从这个层面看,A17的发布预示着A12出师未捷身先死。

A17仍然基于32位ARMv7-A指令集,本质架构和A12一样都是双宽度、乱序发射。尽管架构细节尚未披露,但据了解,A17、A12的前端、执行引擎都是一样的,性能、能效的改进基本都来源于内存子系统的变化

ARM宣称,在特定频率、工艺、内存条件下,A17的性能相比于A9r4可以提升大约60%,而此前A12宣称的提升幅度是40%。照此计算,A17的性能已经可以和A15处于一个档次了!

1

在特定工艺下,A17的核心面积会比A9大出约20%,同时稍稍大于A12。

而运行同样的负载,A17的能效可比A9高出约20%(主要是休眠速度),但是预计A17的峰值功耗也会更高。

或许,这才是ARM将它的命名拔高的原因:性能接近A15,核心面积更小,功耗更低。ARM称要以此在2015年给主流用户提供2014年的高端体验。

但这也不由得让我们怀疑:A15你到底是来干啥的?说定位高端,结果现在被一个中端核心打得满地找牙(至少理论上),还有什么存在价值?

此外,A12因为缺乏必要的一致性总线,不支持big.LITTLE,A17则弥补了这一缺憾,可以作为“大核心”,搭配“小核心”的Cortex-A7。
 

2

A17初期会采用28nm工艺,后期进化到20nm。ARM给出了一张有趣的图示,显示了历代工艺带来的芯片面积变化,以及晶体管成本——每1美元能买到的晶体管数量。

根据这张图,当前的28nm是个“甜点”,晶体管单位成本最低(1美元2000万个),而下一代的20nm只能做到和它持平,19nm的成本反而会略有增加。这的确是半导体行业不得不面临的难题,更先进的工艺已经很难带来足够多的好处。

A17定位中端,对面积、成本自然更加敏感,20nm必须完全成熟了才会采纳。

3

ARM的另一张图则显示了不同面积芯片对应的不同领域:4-20平方毫米的小家伙用于传感器、物联网、可穿戴设备、实时嵌入式,中端移动、消费电子、可穿戴设备的需要控制在30-70平方毫米,高端高性能移动设备可以放宽到70-100平方毫米,而那些100-300平方毫米的大家伙只能用于网络基础架构、存储和服务器。

4

现在最大的问题是,A12何去何从?ARM的态度是二者将同时存在一段时间,A12产品今年下半年诞生,A17则在明年接班。

但是厂商们可不愿意这么看:有更高级、更好看的A17,谁还愿意要落伍的A12?瑞芯微RK3288、联发科MT6595都已经迫不及待地采用了A17。可以预料,A12的命运只能是直接胎死腹中。

架构方面,虽然在热炒64位,但是ARM很冷静地指出,32/64位的转换需要3-4年才能完成,ARMv7-A因此仍有较长的寿命,今年就会有超过10亿部这种架构的智能手机出货,况且ARMv8-A架构向下兼容它。

5

 

6


 

相关资讯
DDR4内存供需逆转价格暴涨,工业需求与停产预期引发市场异动

随着全球存储芯片原厂逐步将产能转向DDR5及更先进制程,DDR4内存的产能收缩已成定局。这一战略调整在近期引发连锁反应:终端市场出现恐慌性采购,推动DDR4现货价格在短期内急速攀升,甚至出现与新一代DDR5产品的价格倒挂现象。

折叠屏OLED市场格局生变:三星显示Q2逆袭登顶,三折屏量产在即

市场研究机构UBI Research最新报告显示,2024年第二季度全球折叠屏手机OLED面板出货格局出现显著变化。三星显示以52%的市占率重回行业首位,单季度出货量呈现指数级增长——其4月出货量仅为25万片,5月迅速攀升至178万片,6月维持153万片高位,季度总出货量达356万片。

全球首条人形机器人AI服务器产线落地休斯顿 量产进入倒计时

全球科技巨头英伟达与电子制造领军企业富士康正加速合作,计划于富士康美国休斯顿新建工厂部署人形机器人,用于生产英伟达下一代人工智能服务器。该项目预计于2025年第一季度投入运行,标志着人形机器人技术首次大规模应用于高端硬件制造产线。

日本显示巨头背水一战:JDI千亿亏损下的战略重组

日本显示器公司(JDI)于6月21日通过股东大会,正式批准了包括车载业务分拆、大规模裁员及技术转型在内的深度重组计划。这标志着连续11年净亏损(2024财年达782亿日元)的老牌面板企业,开启了创立以来最彻底的自我革新。

三星电子加速1c纳米DRAM量产,HBM4战略布局全面提速

三星电子近期在第六代1c纳米级DRAM晶圆测试中实现重大突破,良率跃升至50%-70%,较2023年不足30%的水平翻倍增长。这一进展源于其研发团队对芯片结构的重新设计,通过创新性架构调整显著提升能效与生产稳定性。此前因技术优化导致的量产延迟已通过激进投资策略弥补,三星正同步推进平泽工厂P3/P4生产线的设备部署,为年内启动大规模量产铺平道路。