Xilinx推出满足LTE与MC-GSM性能需求Smarter无线电方案

发布时间:2014-02-21 阅读量:697 来源: 我爱方案网 作者:

【导读】赛灵思公司今天宣布推出多款Smarter无线电解决方案,能有效满足新一代LTE和多载波GSM(MC-GSM)平台所需的性能、功耗及成本需求。峰值因数抑制和数字预失真 SmartCORE IP提供高达50%无线电效率并有效降低运营成本。

2014年2月20日,北京–All Programmable 技术和器件的全球领先企业赛灵思公司今天宣布推出多款Smarter无线电解决方案,能有效满足新一代LTE和多载波GSM(MC-GSM)平台所需的性能、功耗及成本需求。这些拥有峰值因数抑制(CFR)和数字预失真(DPD)功能的全新解决方案是Xilinx SmartCORE IP系列的一部分,提供高达50%的无线电效率,可为网络运营商节省数千万美元的运营成本。赛灵思的CFR和DPD SmartCORE IP及Zynq®-7000 All Programmable SoC共同带来的高效率,可支持单芯片的无线电实现方案,减少电路板占用空间,降低整体功耗,同时也可缩减总成本。

数据需求在不断攀升,但是每用户平均收入(ARPU)却没有同步增加,促使运营商必须开拓全新的频带、更多无线电频谱及新的网络架构。运营商不但必须提升其网络的效率,同时也要管理能源成本。加强功能后的赛灵思CFR和DPD IP核心能提供更高的省电效率。当LDMOS功率放大器可轻易实现40%以上的省电效率时,氮化镓(GaN)功率放大器则可高达50%。赛灵思CFR和DPD IP可支持高达100Mhz的大范围无线电频谱,不仅可符合TD-LTE与FD-LTE标准,更可支持需要传统MC-GSM支持的多标准实现方案。

DPD和CFR解决方案可扩展支持:

1、多种空中接口标准(LTE (TDD/FDD)、MC-GSM、WCDMA、CDMA2000、TD-SCDMA)
2、多重天线
3、更高的校正性能
4、更短的收敛时间
5、多重无线存取技术(Multi-RAT)配置(相同无线电设备上可支持WCDMA + GSM,LTE + GSM)

KMW Communications总裁Jaewon Kim表示:“赛灵思高的CFR和DPD IP 拥有高度的扩展性,能帮助我们快速开发和集成高性能的商用LTE系统的数字系统元件。赛灵思无线电IP非常高效,可在28nm Zynq SoC器件中以高时钟速率运行,同时,与采用ASSP和ASIC相比,其能使我们的远程无线电头端和有源天线凭借更大的集成度和灵活性充分满足客户要求。”

赛灵思无线产品市场营销总监David Hawke说:“赛灵思的软硬件可编程单器件无线电解决方案可支持将相同电路板用于多种配置,从而大幅缩短和降低客户开发智能无线解决方案的时间与风险。该平台方案能满足未来产品部署需求,并能对需求变化做出快速响应。” 

供货进程

赛灵思的无线电IP现已开始供货。

关于赛灵思

赛灵思是All Programmable器件、SoC和3D IC的全球领先供应商。赛灵思公司行业领先的产品与新一代设计环境以及 IP 核完美地整合在一起,可满足客户对可编程逻辑乃至可编程系统集成的广泛需求。

相关资讯
Diodes Q2财务报告:营收超预期增长,连续三季度同比上扬

Diodes公司近期公布了截至2025年6月30日的第二季度财务业绩,标志着其连续三个季度实现同比增长,显示出半导体市场的稳步复苏。根据报告,该公司在多个关键财务指标上表现稳健,受益于全球需求的逐步回升和市场结构优化。公司高层认为,这一业绩源于亚洲地区的强劲拉动和产品组合的适应性调整。

MACOM Q3营收同比激增32.3%,射频芯片龙头再创增长新高

美国射频半导体龙头企业MACOM Technology Solutions于8月7日正式公布截至2025年7月4日的第三财季业绩报告。财报显示,当季实现营收2.521亿美元,较去年同期大幅增长32.3%,创下近三年最高单季增速。

Microchip复苏计划成效显著:Q1营收环比增10.8%,库存大幅优化,AI/国防订单强劲

美国微芯科技公司(Microchip Technology)于8月7日发布了其2026财年第一季度(截至2025年6月30日)的财务报告。报告显示,公司业绩呈现显著复苏迹象,多项关键指标环比改善,并超出此前修订后的业绩指引。

产需趋向平衡!赛力斯7月新能源销量占比突破93%

8月8日,赛力斯集团(601127)公布2025年7月产销快报。数据显示,尽管整体市场仍承压,集团在主力新能源汽车板块显现增长韧性,单月销量同比提升5.7%,而传统燃油车型业务持续收缩,反映出业务转型的深化推进。

INS1011SD + VGaN™:颠覆传统BMS的低边保护方案

在追求更高效率、更小体积和更低成本的电力电子系统发展趋势下,传统的硅基(Si)功率器件,特别是在双向能量流动应用(如电池管理系统BMS)中常用的背靠背MOSFET方案,逐渐显现出性能瓶颈。氮化镓(VGaN™)器件凭借其卓越的开关速度、低导通电阻和更小的尺寸,成为理想的替代者。然而,充分发挥VGaN™的潜力需要与之高度匹配的专用驱动芯片。英诺赛科(Innoscience)作为全球领先的VGaN™ IDM厂商,推出全球首款100V低边驱动芯片INS1011SD,标志着“VGaN™+专用驱动”完整解决方案的成熟,为双向电力电子系统设计带来革命性突破。