美国高通推出针对汽车的20纳米工艺LTE Advanced芯片

发布时间:2014-02-25 阅读量:813 来源: 我爱方案网 作者:

【导读】美国高通公司宣布推出全球首款针对汽车的商用20纳米工艺LTE Advanced芯片,下一代 Gobi 9x30支持LTE FDD/ TDD Advanced Category 6,支持最高40 MHz的载波聚合和最高300 Mbps的下行速率。

 2014年2月24日,圣迭戈——美国高通公司今日宣布,其全资子公司美国高通技术公司将延长Qualcomm Gobi 9x30平台的生命周期并将其加入骁龙汽车解决方案,为下一代系统带来先进的远程信息处理和信息娱乐功能。Gobi 9x30基于美国高通技术公司第四代LTE平台,支持下行数据速率最高300 Mbps的LTE Advanced Category 6,能够实现具有更强导航、Wi-Fi热点、信息娱乐内容和远程信息处理服务功能的汽车宽带连接。
 
Gobi 9x30是全球首款宣布商用的基于20纳米工艺并针对汽车的蜂窝调制解调器,支持LTE FDD和 TDD网络上最高40MHz的全球载波聚合部署。在目前美国高通技术公司领先的汽车LTE调制解调器技术Gobi 9x15的基础上,Gobi 9x30将在全球范围支持高速的3G和4G LTE连接和卓越的下一代全球导航卫星系统(GNSS)引擎,同时借助Qualcomm RF360™前端解决方案,在单一SKU中支持广泛的多区域覆盖。Gobi 9x30拥有广泛的多模功能,支持所有其他主流蜂窝技术,包括中国的LTE TDD网络。
 
除了3G/LTE连接外,全新平台还预集成了QCA6574,这是一个双流802.11ac Wi-Fi 和蓝牙 4.1芯片,同时支持车载 Wi-Fi 热点功能和蓝牙规范。QCA6574还支持DSRC(专用短程通信技术),这项技术遵循美国公路交通安全管理局(NHTSA)近期公布并将于未来施行的一项规章,旨在增强车辆之间(V2V)通信安全。Gobi 9x30和QCA6574还将预集成在美国高通技术公司近期宣布推出的汽车级骁龙602A处理器中。
 
美国高通技术公司业务拓展高级副总裁Kanwalinder Singh表示:“对汽车高速连接的需求正推动越来越快的数据速率以及功能和技术的更好集成。将Gobi 9x30加入我们技术领先的LTE产品系列,为汽车模块客户、一级供应商和整车制造商客户带来面向全球的SKU的灵活性,以及下一代LTE特性——包括最高达300 Mbps的数据速率和载波聚合。Gobi 9x30树立了新的性能和集成度标杆:20纳米工艺、同时支持LTE FDD和TDD 模式、内置的下一代GNSS引擎、与骁龙602A的预集成,以及预集成的QCA 6574,并支持802.11ac、BT 4.1和DSRC。”

Gobi 9x30目前正在向客户出样。

欢迎在2014年移动通信世界大会(MWC)期间前往美国高通公司展台(3号展馆3E10号),观看基于Gobi 9x30平台的300 Mbps LTE Advanced Category 6现场演示。

关于美国高通公司

美国高通公司是全球3G、4G与下一代无线技术的领军企业,包括技术许可业务(QTL)和其绝大部分的专利组合。美国高通技术公司(QTI)为美国高通公司的全资子公司,与其子公司一起运营美国高通公司所有的工程、研发活动以及所有产品和服务业务,其中包括其半导体业务QCT。25年多来,美国高通公司的创想和创新推动了数字通信的演进,将各地的人们与信息、娱乐和彼此之间更紧密地联系在一起。

相关资讯
Diodes Q2财务报告:营收超预期增长,连续三季度同比上扬

Diodes公司近期公布了截至2025年6月30日的第二季度财务业绩,标志着其连续三个季度实现同比增长,显示出半导体市场的稳步复苏。根据报告,该公司在多个关键财务指标上表现稳健,受益于全球需求的逐步回升和市场结构优化。公司高层认为,这一业绩源于亚洲地区的强劲拉动和产品组合的适应性调整。

MACOM Q3营收同比激增32.3%,射频芯片龙头再创增长新高

美国射频半导体龙头企业MACOM Technology Solutions于8月7日正式公布截至2025年7月4日的第三财季业绩报告。财报显示,当季实现营收2.521亿美元,较去年同期大幅增长32.3%,创下近三年最高单季增速。

Microchip复苏计划成效显著:Q1营收环比增10.8%,库存大幅优化,AI/国防订单强劲

美国微芯科技公司(Microchip Technology)于8月7日发布了其2026财年第一季度(截至2025年6月30日)的财务报告。报告显示,公司业绩呈现显著复苏迹象,多项关键指标环比改善,并超出此前修订后的业绩指引。

产需趋向平衡!赛力斯7月新能源销量占比突破93%

8月8日,赛力斯集团(601127)公布2025年7月产销快报。数据显示,尽管整体市场仍承压,集团在主力新能源汽车板块显现增长韧性,单月销量同比提升5.7%,而传统燃油车型业务持续收缩,反映出业务转型的深化推进。

INS1011SD + VGaN™:颠覆传统BMS的低边保护方案

在追求更高效率、更小体积和更低成本的电力电子系统发展趋势下,传统的硅基(Si)功率器件,特别是在双向能量流动应用(如电池管理系统BMS)中常用的背靠背MOSFET方案,逐渐显现出性能瓶颈。氮化镓(VGaN™)器件凭借其卓越的开关速度、低导通电阻和更小的尺寸,成为理想的替代者。然而,充分发挥VGaN™的潜力需要与之高度匹配的专用驱动芯片。英诺赛科(Innoscience)作为全球领先的VGaN™ IDM厂商,推出全球首款100V低边驱动芯片INS1011SD,标志着“VGaN™+专用驱动”完整解决方案的成熟,为双向电力电子系统设计带来革命性突破。