发布时间:2014-02-27 阅读量:1364 来源: 我爱方案网 作者:
吉尼斯世界纪录或许应该加这么一个项目:最快山寨一款手机需要多长时间?三星刚发布Galaxy S5,已经有厂商推出翻版了。还是那个出了名的山寨大王:Goophone。Goophone这款手机名为Goophone S5,外观设计自然是一比一高仿Galaxy S5。
配置方面倒也不差,配备5寸1080p触摸屏,分辨率1920x1080,搭载主频2Ghz的联发科MT6592处理器,2GB内存+32GB机身存储,提供前置500万+后置1300万像素摄像头,支持双卡双待(标准卡),内置电池2800mAh,运行的是Android 4.2系统。
总之这台手机像极了Galaxy S5,真是难为Goophone能在一天内就仿制完毕、上架销售。不过老外们似乎不以为然,一些网友评论说道这完全是因为三星设计太简陋了,仿造起来根本没有难度。想来也是,Galaxy S5相比Galaxy S4只是把正脸放大了下,Goophone只要再做个背盖就行了。
事实上,此前Goophone就曾推出过i5S、i5C、N3、S4、M3等手机,总之就是谁火抄谁。
目前这款手机显示的还是“无货”状态,标价为299.99美元(折合人民币1838元左右),估计正在加紧赶工吧。
Diodes公司近期公布了截至2025年6月30日的第二季度财务业绩,标志着其连续三个季度实现同比增长,显示出半导体市场的稳步复苏。根据报告,该公司在多个关键财务指标上表现稳健,受益于全球需求的逐步回升和市场结构优化。公司高层认为,这一业绩源于亚洲地区的强劲拉动和产品组合的适应性调整。
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在追求更高效率、更小体积和更低成本的电力电子系统发展趋势下,传统的硅基(Si)功率器件,特别是在双向能量流动应用(如电池管理系统BMS)中常用的背靠背MOSFET方案,逐渐显现出性能瓶颈。氮化镓(VGaN™)器件凭借其卓越的开关速度、低导通电阻和更小的尺寸,成为理想的替代者。然而,充分发挥VGaN™的潜力需要与之高度匹配的专用驱动芯片。英诺赛科(Innoscience)作为全球领先的VGaN™ IDM厂商,推出全球首款100V低边驱动芯片INS1011SD,标志着“VGaN™+专用驱动”完整解决方案的成熟,为双向电力电子系统设计带来革命性突破。