发布时间：2014-03-11 阅读量：720 来源: 我爱方案网 作者:
2014年3月11日，北京 — All Programmable技术和器件的全球领先企业赛灵思公司今天宣布推出业界首款面向All Programmable UltraScale器件的高性能DDR4内存解决方案，每秒数据速率高达2400 Mb。UltraScale器件采用ASIC级架构，可支持大量I/O和超大存储带宽，并能够大幅降低功耗和时延。赛灵思稳定可靠的内存解决方案可加速设计进程，并增加了对DDR4接口的支持。
UltraScale器件中的新增DDR4内存接口可提供超过1Tb/s的存储带宽，能够满足视频成像与处理、流量管理和高性能计算等重要应用领域新一代前沿系统设计对海量数据流快速处理以及海量内存的需求。从DDR3 升级为DDR4后，应用的读取时延减少了30%，而且在相同数据速率下大幅降低了功耗。更富吸引力的是，从每秒1866 Mb的DDR3升级到每秒2400 Mb的DDR4后，客户不仅提升了30%的数据速率，同时还能削减20%的功耗。
这些DDR4内存接口经过严格系统条件下（例如变化的电压和温度、系统抖动）高难度数据模式的测试，可确保为实际系统部署预留工作裕量。赛灵思的SelectIO™接口符合JESD79-4 DDR4 SDRAM标准，有助于确保获得最大时序裕量。为保证最佳信号完整性，I/O技术还包括传输预加重、接收均衡、低抖动时钟和噪声隔离设计技术。
赛灵思公司FPGA产品管理与市场营销高级总监Dave Myron指出；“赛灵思现已开始交付高性能DDR4接口，支持客户采用当今最先进的内存解决方案进行设计。而领先的PC制造商们在今年较晚时间才会刚刚开始低线速率产品的推出。”
美光（Micron）公司DRAM市场营销副总裁Robert Feurle表示：“当今的客户不断要求使用更高的存储带宽支持更大规模数据密集型的应用，通过与赛灵思的强大合作，美光的DDR4内存技术和赛灵思的UltraScale器件相结合，致力于为我们的共同客户提供市场领先的解决方案。”
供货进程
支持DDR4内存接口的UltraScale器件现已发货。
关于赛灵思
赛灵思是All Programmable器件、SoC和3D IC的全球领先供应商。赛灵思公司行业领先的产品与新一代设计环境以及 IP 核完美地整合在一起，可满足客户对可编程逻辑乃至可编程系统集成的广泛需求。
近期，围绕英特尔首席执行官陈立武的任职资格问题，美国政界刮起一阵强风。事件源于美国参议员汤姆·科顿（Tom Cotton）本月5日致函英特尔董事会，对陈立武在华投资历史及其潜在利益冲突提出尖锐质疑，认为这可能危及英特尔获得的美国政府巨额补贴（包括《芯片与科学法案》下的近80亿美元）所应承担的国家安全责任，尤其涉及敏感的“安全飞地”（Secure Enclave）国防芯片项目。此质疑引发了广泛关注。
2025年8月7日，中国半导体行业领军企业中芯国际和华虹半导体正式发布2025年第二季度业绩报告。数据显示，两家企业销售收入均实现高两位数增长，并带动盈利能力大幅提升。这一成绩不仅体现了国内晶圆制造领域的高效运营，还反映出全球半导体需求的稳健复苏。分析机构指出，在人工智能、汽车电子和5G通信技术的推动下，中国半导体企业正通过优化产线和扩产战略，持续提升市场竞争力。
三星电子最新一代折叠屏智能手机Galaxy Z Fold 7与Galaxy Z Flip 7甫一上市，即在全球多地区域引发显著消费热潮。最新数据显示，在俄罗斯这一三星曾战略退出的关键市场，该系列的预售表现超出预期。行业分析机构透露，相较于前代产品，Z7系列在俄罗斯的预订量实现了约30%的显著提升。值得关注的是，采用超薄设计、轻量化大幅改进的Galaxy Z Fold 7在俄预售中占据主导，份额高达约70%，充分体现了消费者对于产品形态革新突破的高度认可。
2025年8月，全球模拟芯片龙头德州仪器（TI）对中国客户启动覆盖超6万款产品的价格调整，涨幅达10%-30%，远超6月仅3300款产品的定向调价规模。尽管官方通知生效日为8月15日，部分客户反馈新定价已于8月4日提前执行。此次涨价涵盖工业控制、汽车电子、消费电子及通信设备全品类，其中41.3%的产品涨幅超30%，工业级数字隔离器和车规电源管理芯片（PMIC）成为重灾区，涨幅普遍超过25%。
2025财年第一季度，日本罗姆半导体（ROHM）面临严峻财务挑战：营收同比下滑1.8%至1162亿日元，营业利润暴跌84.6%至1.95亿日元。尽管净利润下滑14.3%，但公司成功结束连续三季亏损，实现扭亏为盈。业绩承压主因工业机械与汽车应用领域需求疲软（销售额分别下降5%和7%），叠加中国碳化硅（SiC）厂商的竞争冲击。
