Synopsys全新已流片将USB PHY的实现面积缩小高达50%

发布时间:2014-05-7 阅读量:992 来源: 我爱方案网 作者:

【导读】新思科技公司今日宣布:通过推出全新的DesignWare USB femtoPHY系列IP,已将USB PHY的实现面积缩小多达50%;全新已流片采用14/16nm FinFET和28nm工艺的小片芯占用面积PHY降低了消费类、移动、存储及网络应用的硅成本。

亮点:

1、DesignWare USB 2.0 femtoPHY IP的面积小于0.2平方毫米,DesignWare USB 3.0 femtoPHY的面积小于0.5平方毫米,使设计师能够节省面积并降低整体硅成本
2、DesignWare USB 3.0 femtoPHY完全支持USB 2.0,与全球数十亿部设备兼容
3、具有关闭电源后保留数据的功能,在确保数据被保存的同时延长电池寿命;支持USB 电池充电v1.2版规范(USB Battery Charging v1.2),以确保便携式设备的高效充电
4、DesignWare USB femtoPHY采用减少引脚数量的设计,从而将SoC的外部面积和宽度降至最低
5、带有DesignWare USB femtoPHY的28nm和14nm FinFET工艺的消费类芯片已成功流片

为加速芯片和电子系统创新而提供软件、知识产权(IP)及服务的全球性领先供应商新思科技公司今日宣布:通过推出全新的DesignWare USB femtoPHY系列IP,已将USB PHY的实现面积缩小多达50%;从而可在28nm和14/16nmFinFET工艺节点上,将USB PHY设计的片芯占用面积和成本降至最低。采用28nm和14nm FinFET硅工艺的DesignWare USB femtoPHY已展示出稳固的性能,使设计师能够在先进工艺技术节点上实现该IP,同时降低系统级芯片(SoC)设计风险。

DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY专为极小面积而优化,满足了诸如智能手机和平板电脑等移动设备,以及诸如数字电视、存储等网络应用等大批量消费应用的严苛要求。

DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY IP(DWC SS USB femtoPHY Samsung 14nm FinFET和DWC HS USB femtoPHY Samsung 14nm FinFET)已经在第三方实验室中通过了USB-IF一致性测试。DesignWare USB femtoPHY达到或超过了USB-IF标准规范,包括5V耐压和3.3V信令体制,提供了有利于系统配置运行全部规格定义功能的强大性能。DesignWare USB femtoPHY支持所有的USB应用模式,为系统设计师提供了一系列多样化的SoC设计选项。DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY两个产品都支持Hi-Speed高速、Full-Speed全速和Low-Speed低速运行,以及作为主控、设备和OTG等不同配置,同时DesignWare USB 3.0 femtoPHY还支持超高速USB运行(USB 3.0)。

“基于我们长期成功使用DesignWare USB IP的经验,我们实现了带有高品质DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY IP芯片的一次流片成功,”三星电子晶圆代工市场营销副总裁Shawn Han博士表示:“在三星晶圆代工厂中制造的带有DesignWare USB femtoPHY IP的芯片,是首款采用14 nm FinFET工艺的、通过了USB-IF认证的芯片。通过集成一个面积显著缩小的PHY,提高了我们客户系统级芯片的竞争力,并且简化了添加USB连接的过程。Synopsys的DesignWare femtoPHY够满足大批量移动和消费类应用的成本、功耗、性能和上市时间的需求,它们对于我们在这些快速发展的市场中获得成功至关重要。”

Synopsys开发的USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY IP使设计师能够为其应用选择最佳实现方式,而不牺牲USB一致性认证所要求的功能或性能。需要高性能的设计可以使用USB 3.0 femtoPHY符合SuperSpeed USB(USB 3.0)规范的5.0 Gbps数据传输速率。需要较低性能的应用可以使用USB 2.0 femtoPHY符合Hi-Speed USB(USB 2.0)规范的480MHz传输速率。两种DesignWare USB femtoPHY都能够将SoC外部所需的引脚数量降至最低,以进一步缩减SoC的面积和成本。当PHY闲置时,关闭电源这一功能可将电池耗电量降至最低,同时保持所有的PHY状态,以确保快速、精确的上电后功能。此外,DesignWare USB femtoPHY支持广为使用的v1.2USB电池充电规范和USB On-The-Go (OTG) v2.0协议。

“18多年来,作为USB-IF的一名活跃成员,Synopsys一直不断地开发相关IP产品,简化了USB 3.0和USB 2.0接口的集成和应用,”USB应用者论坛总裁兼首席运营官Jeff Ravencraft表示道:“获得USB-IF认证表明一款产品符合USB-IF的互操作性标准,并且符合相应的USB规范。Synopsys提供的全新的、面积更小的DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY,使制造商能够将该技术引入其SoC中。”

“SoC设计师已经依靠Synopsys 在3,000多款设计和100多种工艺技术中实现了USB接口,使我们十多年来一直领跑USB IP供应,”Synopsys IP与原型设计市场营销副总裁John Koeter表示:“我们能够为先进工艺技术提供高质量IP这样的专业技术和成功记录,使设计师可集成能够可靠地满足其严格应用需求的IP。随着DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY IP的面市,以及在FinFET工艺中成功流片,我们将能够帮助我们的客户满足业界对更小的、高性价比的、高性能的SoC需求。”

供货

采用领先14/16 nm FinFET 和28 nm工艺节点的DesignWare USB 2.0和USB 3.0 femtoPHY IP现在已经开始供货。

关于DesignWare IP

新思科技(Synopsys)是一家为各种SoC设计提供高质量并经硅验证IP解决方案的领先供应商,其丰富的DesignWare IP产品组合包括完整的接口IP解决方案(包括支持多种常用协议的控制器、PHY和下一代验证IP),模拟IP,各种嵌入式存储器,逻辑库,处理器解决方案和子系统。为了支持软件开发及IP的软硬件集成,Synopsys还为其多种IP产品提供驱动软件、事务级模型和原型。Synopsys的 HAPS基于FPGA的原型解决方案支持在系统环境中验证IP和SoC。Synopsys的Virtualizer虚拟原型工具箱使开发人员能够比传统方法提前很久就开始为IP或者整个SoC开发软件。凭借一种稳健的IP开发方法学,以及在质量、IP原型、软件开发及综合性技术支持等领域内的大力投入,Synopsys使设计师能够加快产品的上市并降低集成风险。

相关资讯
DDR4内存供需逆转价格暴涨,工业需求与停产预期引发市场异动

随着全球存储芯片原厂逐步将产能转向DDR5及更先进制程,DDR4内存的产能收缩已成定局。这一战略调整在近期引发连锁反应:终端市场出现恐慌性采购,推动DDR4现货价格在短期内急速攀升,甚至出现与新一代DDR5产品的价格倒挂现象。

折叠屏OLED市场格局生变:三星显示Q2逆袭登顶,三折屏量产在即

市场研究机构UBI Research最新报告显示,2024年第二季度全球折叠屏手机OLED面板出货格局出现显著变化。三星显示以52%的市占率重回行业首位,单季度出货量呈现指数级增长——其4月出货量仅为25万片,5月迅速攀升至178万片,6月维持153万片高位,季度总出货量达356万片。

全球首条人形机器人AI服务器产线落地休斯顿 量产进入倒计时

全球科技巨头英伟达与电子制造领军企业富士康正加速合作,计划于富士康美国休斯顿新建工厂部署人形机器人,用于生产英伟达下一代人工智能服务器。该项目预计于2025年第一季度投入运行,标志着人形机器人技术首次大规模应用于高端硬件制造产线。

日本显示巨头背水一战:JDI千亿亏损下的战略重组

日本显示器公司(JDI)于6月21日通过股东大会,正式批准了包括车载业务分拆、大规模裁员及技术转型在内的深度重组计划。这标志着连续11年净亏损(2024财年达782亿日元)的老牌面板企业,开启了创立以来最彻底的自我革新。

三星电子加速1c纳米DRAM量产,HBM4战略布局全面提速

三星电子近期在第六代1c纳米级DRAM晶圆测试中实现重大突破,良率跃升至50%-70%,较2023年不足30%的水平翻倍增长。这一进展源于其研发团队对芯片结构的重新设计,通过创新性架构调整显著提升能效与生产稳定性。此前因技术优化导致的量产延迟已通过激进投资策略弥补,三星正同步推进平泽工厂P3/P4生产线的设备部署,为年内启动大规模量产铺平道路。