Ziptronix ZiBond技术成熟将应用于消费类移动市场

发布时间:2014-05-8 阅读量:697 来源: 我爱方案网 作者:

【导读】Ziptronix Inc今日公布与 IO Semiconductor(以下简称“IOsemi”)签署独家专利有限授权协议,授权 IOsemi 将其 ZiBond 技术用于消费类移动产品的 RF前端元件 。此协议象征着 Ziptronix 的专利 ZiBond 技术进军新的大批量应用市场。

Ziptronix 首席执行官兼总裁 Dan Donabedian 指出:“与 IOsemi 签署的授权协议对我们来说是个令人兴奋的优势,因为它开拓了一个崭新的大批量应用领域,将本公司的业务范围扩展至快速发展的移动市场;此外,还证明了授权 ZiBond 等既定技术的价值。在此情况下,授权既定技术让 IOsemi 能够利用更佳性能及更低成本提供革新的 RF 前端解决方案。”

IOsemi 的 ZEROcap CMOS 技术是基于成熟的 0.18µm CMOS 工艺,加上比其他可用技术更低的插入损耗和更好的线性特性,提供一流的 RF 性能。相对其他与之竞争的元件,它的占用空间更小、成本更低。ZiBond 的投入应用,让采用标准 CMOS 工艺生产的 RF 开关,能够进一步降低生产成本。由于粘合材料本身与疏松材料一样牢固或者更为牢固,因此比起其他粘合技术,更适用于后粘合工艺。

IO Semiconductor 首席执行官 Mark Drucker 说:“获得 ZiBond 授权,将其用于 RF 前端应用让本公司的技术兵工厂实现了高度可制造性和大批量粘合。它可提供关键技术,让 IOsemi 交付比竞争对手性能更好、成本更低的解决方案。我们与顶尖的制造厂商合作应用此工艺,并达到世界一流的产量和可靠性。”

Ziptronix 的 ZiBond 专利技术通过使用极薄的材料(例如二氧化硅或氮化物)促进直接粘合,实现低温、直接、无需粘合剂的晶圆到晶圆 (wafer-to-wafer) 和晶片到晶圆 (die-to-wafer) 粘合,且适用于各种半导体材料。该技术已应用于背照式 (BSI) 图像传感器的批量生产,而此次与 IOsemi 的授权协议让 ZiBond 得以应用于 RF 前端元件的大批量生产,进一步证明了其对于消费类移动市场的价值。

Ziptronix 简介

Ziptronix 是开发低温直接粘合技术的先驱,为晶圆级或晶片级粘合提供专利技术。其 ZiBond 和 DBI 技术为 3D 堆叠提供最佳扩展性和可制造性、最低总拥有成本的解决方案。该公司的知识产权已被授权于各种半导体应用,包括 BSI 传感器、RF 前端元件、微型投影仪、存储器和 3D 集成电路。2000 年,Ziptronix 脱离 RTI International 公司后以投资风险成本支持为背景成立新公司,拥有超过 35 项美国专利和超过 20 项国际专利,还有待审核的 45 项美国和国际专利申请。

IO Semiconductor 简介

IO Semiconductor (IOsemi) 成立于 2008 年,其团队包括经验丰富的半导体加工和资深的 RF 芯片设计人员; 2012 年 11 月,IO Semiconductor 被 Silanna Group Pty Ltd. 收购,其总部位于澳大利亚布里斯班。IOsemi 以 ZEROcap CMOS 技术为基础,很快便在 RF 开关市场确定了其领先地位。

相关资讯
DDR4内存供需逆转价格暴涨,工业需求与停产预期引发市场异动

随着全球存储芯片原厂逐步将产能转向DDR5及更先进制程,DDR4内存的产能收缩已成定局。这一战略调整在近期引发连锁反应:终端市场出现恐慌性采购,推动DDR4现货价格在短期内急速攀升,甚至出现与新一代DDR5产品的价格倒挂现象。

折叠屏OLED市场格局生变:三星显示Q2逆袭登顶,三折屏量产在即

市场研究机构UBI Research最新报告显示,2024年第二季度全球折叠屏手机OLED面板出货格局出现显著变化。三星显示以52%的市占率重回行业首位,单季度出货量呈现指数级增长——其4月出货量仅为25万片,5月迅速攀升至178万片,6月维持153万片高位,季度总出货量达356万片。

全球首条人形机器人AI服务器产线落地休斯顿 量产进入倒计时

全球科技巨头英伟达与电子制造领军企业富士康正加速合作,计划于富士康美国休斯顿新建工厂部署人形机器人,用于生产英伟达下一代人工智能服务器。该项目预计于2025年第一季度投入运行,标志着人形机器人技术首次大规模应用于高端硬件制造产线。

日本显示巨头背水一战:JDI千亿亏损下的战略重组

日本显示器公司(JDI)于6月21日通过股东大会,正式批准了包括车载业务分拆、大规模裁员及技术转型在内的深度重组计划。这标志着连续11年净亏损(2024财年达782亿日元)的老牌面板企业,开启了创立以来最彻底的自我革新。

三星电子加速1c纳米DRAM量产,HBM4战略布局全面提速

三星电子近期在第六代1c纳米级DRAM晶圆测试中实现重大突破,良率跃升至50%-70%,较2023年不足30%的水平翻倍增长。这一进展源于其研发团队对芯片结构的重新设计,通过创新性架构调整显著提升能效与生产稳定性。此前因技术优化导致的量产延迟已通过激进投资策略弥补,三星正同步推进平泽工厂P3/P4生产线的设备部署,为年内启动大规模量产铺平道路。