美国高通公司参考设计及无线创新峰会亮点回顾

发布时间:2014-05-15 阅读量:701 来源: 我爱方案网 作者:

【导读】第五届美国高通公司参考设计及无线创新峰会今天在深圳举行。大会吸引了超过1500名来自中国和海外的软件开发商、硬件元器件提供商、智能手机厂商代表、以及媒体和分析师出席。此次峰会旨在进一步加强终端制造商与软硬件组件供应商间针对面向中国市场及出口海外的基于高通骁龙™处理器的终端的合作,同时在快速发展的智能手机时代探索全新商业机会。

欢迎点击浏览最新视频《高通参考设计及无线创新峰会在深圳召开》,美国高通公司首席执行官史蒂夫•莫伦科夫及美国高通公司的中国合作伙伴将带您了解更多关于QRD生态系统的信息。

本次QRD峰会包含一系列重要的发布,包括:

1、最新QRD数据:截至目前,已有超过425款基于QRD的商用终端在21个国家推出;超过40家OEM厂商和IDH公司已经推出了QRD商用终端。扩展的QRD产品组合包括美国高通技术公司的骁龙610、骁龙615、骁龙400系列、骁龙410和骁龙200系列处理器,同时支持Qualcomm RF360™前端解决方案、Qualcomm全球支持计划和Windows Phone 8.1。

2、宣布Qualcomm全球支持计划(Qualcomm Global Pass),包含区域软件包,以及符合许多区域运营商要求的调制解调器配置和测试等。这一解决方案旨在支持参与QRD项目的ODM、OEM、运营商和分销商加速终端的商用化进程、降低商用化相关费用、拓展市场机遇并实现更灵活的存货管理。

3、QTI与微软公司就Windows Phone合作,帮助合作伙伴快速推出基于高通骁龙处理器的最新Windows Phone手机。大会上,微软大中华区副总裁兼消费渠道事业部总经理张永利宣布新增两家Windows Phone合作伙伴BLU(拉丁美洲最大的移动品牌之一)和天语,展现了Windows Phone全球生态系统发展的蓬勃动力(原有合作伙伴包括诺基亚、三星、HTC、富士康、金立、Lava(Xolo)、LG、龙旗、Micromax、JSR、Karbonn、Prestigio和中兴)。

4、优思通信总裁顾新惠上台展示了双SIM卡LTE终端i138,这也是首批支持双SIM卡的QRD商用LTE终端之一。通过骁龙800和400处理器,QTI率先跨层级支持双SIM LTE,其他双卡/双待展示可在Qualcomm展区体验

5、美国高通技术公司携手Sohu.com进行了中国首次公开的LTE-TDD Broadcast现场演示,支持高效率视频编码(HEVC)和基于HTTP的动态自适应流传输(DASH)技术。该演示采用集成Qualcomm® Gobi调制解调器的高通骁龙400处理器的参考设计终端,以及美国高通技术公司针对增强型多媒体广播多播业务(eMBMS)平台开发的LTE Broadcast解决方案。

本次峰会的活动和展示包括:

•4G LTE推动的创新和美国高通技术公司的Qualcomm RF360™前端解决方案
•美国高通技术公司的Qualcomm®全球支持计划概览,包括地区软件包、调制解调器配置和满足区域运营商要求的测试
•探讨潜在的全球商机,支持国际商业化
•新的无线垂直市场机会,如可穿戴终端
•可上手体验的商用终端展示,以及各层级骁龙处理器技术演示,包括4K超高清显示、先进的摄像头功能和最新的图形技术
•软件差异化,包括Windows Phone的全新选择
•来自软硬件生态系统的60多家参展商

相关资讯
DDR4内存供需逆转价格暴涨,工业需求与停产预期引发市场异动

随着全球存储芯片原厂逐步将产能转向DDR5及更先进制程,DDR4内存的产能收缩已成定局。这一战略调整在近期引发连锁反应:终端市场出现恐慌性采购,推动DDR4现货价格在短期内急速攀升,甚至出现与新一代DDR5产品的价格倒挂现象。

折叠屏OLED市场格局生变:三星显示Q2逆袭登顶,三折屏量产在即

市场研究机构UBI Research最新报告显示,2024年第二季度全球折叠屏手机OLED面板出货格局出现显著变化。三星显示以52%的市占率重回行业首位,单季度出货量呈现指数级增长——其4月出货量仅为25万片,5月迅速攀升至178万片,6月维持153万片高位,季度总出货量达356万片。

全球首条人形机器人AI服务器产线落地休斯顿 量产进入倒计时

全球科技巨头英伟达与电子制造领军企业富士康正加速合作,计划于富士康美国休斯顿新建工厂部署人形机器人,用于生产英伟达下一代人工智能服务器。该项目预计于2025年第一季度投入运行,标志着人形机器人技术首次大规模应用于高端硬件制造产线。

日本显示巨头背水一战:JDI千亿亏损下的战略重组

日本显示器公司(JDI)于6月21日通过股东大会,正式批准了包括车载业务分拆、大规模裁员及技术转型在内的深度重组计划。这标志着连续11年净亏损(2024财年达782亿日元)的老牌面板企业,开启了创立以来最彻底的自我革新。

三星电子加速1c纳米DRAM量产,HBM4战略布局全面提速

三星电子近期在第六代1c纳米级DRAM晶圆测试中实现重大突破,良率跃升至50%-70%,较2023年不足30%的水平翻倍增长。这一进展源于其研发团队对芯片结构的重新设计,通过创新性架构调整显著提升能效与生产稳定性。此前因技术优化导致的量产延迟已通过激进投资策略弥补,三星正同步推进平泽工厂P3/P4生产线的设备部署,为年内启动大规模量产铺平道路。