【大比拼】Fairchild、ON、TI 快速充电解决方案

发布时间:2014-08-4 阅读量:3178 来源: 发布人:

【导读】随着手机的屏幕越来越大,处理器的性能越来越强并升级多核,为保证续航,手机的电池容量也变大,这样充电时间不可避免的会变长,如何缩短充电时间成为手机的一大瓶颈。本文介绍Fairchild、ON、TI 三类快速充电解决方案,能够在短暂的时间内有效提升充电效率,大大缩短充电时间。

目前大家熟知采用快速充电技术的产品是 OPPO 的 Find 7 ,OPPO 的官方数据称,只需要 30 分钟就可以将 Find 7 的电量从 0 充到 75%,充电5分钟就可以让Find 7保持通话2个小时。

另外,高通表示新款搭载高通平台的手机都将会有快充功能,高通新的的快充协议为Quick Charge2.0,可提高 75% 充电速度。与此同时,MTK 也发布了省时高达50% 的快充协议 Pump Express。

快速充电解决方案框图:

 

一、输出 5V/5A Fairchild FAN501 + FAN6230 25W快速充电解决方案

1. 方案框图

 
2. 方案特点


•输出短路保护
•毫瓦节省技术提供超低的待机功耗,很容易满足“能源之星 V5.0”
•恒压控制时,根据输入电压,有两段固定的 PWM 工作频率 140kHz/85kHz
•高压启动
•断续和连续工作模式实现恒流控制,无需次级反馈电路
•在连续工作模式有较高的功率密度和转换效率
•调频减少 EMI 噪声
 
3. 方案照片

                       
二、输出 5V/5A ON NCP1247 + NCP4303 25W 快速充电解决方案

1. 方案框图

 

2. 方案特点

•通过频率反走和跳周期模式,减少待机功耗
•可通过光耦触发低功耗关闭模式
•无损过功率补偿
•基于定时器的过功率保护
•输出短路保护
•动态自供电的高压启动
•欠压监测功能
•有源 X2 电容放电
•严重故障时闩锁
•自动恢复或闩锁选择的过流保护
•空载待机能耗 < 30 mW
•可调功率过载保护
 
3. 方案照片


三、输出 5V/5A TI UCC28740 + UCC24610 25W 快速充电解决方案

1. 方案框图



2. 方案特点

•少于 10mW 无负载功耗能力
•针对恒定电压 (CV) 的光耦合反馈,和针对恒定电流 (CC) 的初级侧调节 (PSR)
•在线路和负载上实现 ±1% 电压调节和 ±5% 电流调节
•700V 启动开关
•100kHz 最大开关频率可实现高功率密度充电器设计
•针对最高总体效率的谐振环谷值开关运行
•简化电磁干扰 (EMI) 兼容性的频率抖动
•针对金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的已钳制栅极驱动输出
•过压、低线路和过流保护功能
 
3. 方案照片

相关资讯
Diodes Q2财务报告:营收超预期增长,连续三季度同比上扬

Diodes公司近期公布了截至2025年6月30日的第二季度财务业绩,标志着其连续三个季度实现同比增长,显示出半导体市场的稳步复苏。根据报告,该公司在多个关键财务指标上表现稳健,受益于全球需求的逐步回升和市场结构优化。公司高层认为,这一业绩源于亚洲地区的强劲拉动和产品组合的适应性调整。

MACOM Q3营收同比激增32.3%,射频芯片龙头再创增长新高

美国射频半导体龙头企业MACOM Technology Solutions于8月7日正式公布截至2025年7月4日的第三财季业绩报告。财报显示,当季实现营收2.521亿美元,较去年同期大幅增长32.3%,创下近三年最高单季增速。

Microchip复苏计划成效显著:Q1营收环比增10.8%,库存大幅优化,AI/国防订单强劲

美国微芯科技公司(Microchip Technology)于8月7日发布了其2026财年第一季度(截至2025年6月30日)的财务报告。报告显示,公司业绩呈现显著复苏迹象,多项关键指标环比改善,并超出此前修订后的业绩指引。

产需趋向平衡!赛力斯7月新能源销量占比突破93%

8月8日,赛力斯集团(601127)公布2025年7月产销快报。数据显示,尽管整体市场仍承压,集团在主力新能源汽车板块显现增长韧性,单月销量同比提升5.7%,而传统燃油车型业务持续收缩,反映出业务转型的深化推进。

INS1011SD + VGaN™:颠覆传统BMS的低边保护方案

在追求更高效率、更小体积和更低成本的电力电子系统发展趋势下,传统的硅基(Si)功率器件,特别是在双向能量流动应用(如电池管理系统BMS)中常用的背靠背MOSFET方案,逐渐显现出性能瓶颈。氮化镓(VGaN™)器件凭借其卓越的开关速度、低导通电阻和更小的尺寸,成为理想的替代者。然而,充分发挥VGaN™的潜力需要与之高度匹配的专用驱动芯片。英诺赛科(Innoscience)作为全球领先的VGaN™ IDM厂商,推出全球首款100V低边驱动芯片INS1011SD,标志着“VGaN™+专用驱动”完整解决方案的成熟,为双向电力电子系统设计带来革命性突破。