发布时间：2015-03-4 阅读量：955 来源: 我爱方案网 作者:
方案概述：
目前市场上单绕组非隔离方案为芯片供电主要有两种方式：一、通过线电压直接为芯片供电。二、采用浮地架构，通过负载为芯片供电，以上两种供电方式都会有较大的供电损耗。用第一种供电方式的芯片做全电压输入的方案，在高压下供电电阻上的损耗不容小视。而第二种供电方式除了会增加芯片的应用成本外，当输出电压较高时供电损耗也不低。这两种供电方式均或多或少的有关机回闪的问题，增大了应用工程师的调试难度。而UR5403T在真正意义上解决了单绕组芯片供电的难题。
该驱动芯片支持输入电压VIN 180V~270V ，输出范围：50~150V 输出电流：84mA±2%,以及±2%的负载以及线电压调整率。
为提高系统效率，UR5403T采用真正的谷底开启。极大地降低了MOS管开通时寄生电容COSS 带来的损耗。同时，它还解决了系统OVP的问题。目前单绕组方案的OVP 也有两种解决办法。
1）浮地设计，直接检测负载输出电压；
2）采用固定TOFF 时间检测负载电压；
对于第一种方案，可以很好地检测输出过压，但会增加应用成本。而第二种方案中，TOFF设定脚是一个高阻抗脚，系统的开关信号会干扰到这个脚。相信许多工程师在量产的时候总会发现有那么一些片子的OVP不正常。这是合理的，因此之前的IC原厂没有认真考量这个问题。而UR5403T 通过专利的电路技术，克服了这个困难。
目前市场上的大多方案均采用源极驱动。源极驱动的好处是芯片耗电量少。缺点是由于控制芯片有个低压MOS管与高压MOS串联，会增大系统的损耗。也就是封装同样的MOS管，栅极驱动的MOS管开通损耗要低于源极驱动。
【电路图】
【物料清单】
【测试数据】
【实物图】
相关阅读：
90%效率，外围最精简，最稳定的LED驱动方案
Fairchild推出了FL7734相切可调光单级LED驱动器
对比分析四种无电解电容的LED驱动电源方案
在全球科技博弈背景下，美国对华AI芯片出口限制政策持续升级。腾讯总裁刘炽平在2025年第一季度财报会上明确表示，腾讯已具备应对供应链风险的充足储备与技术创新能力，标志着中国AI产业正加速走向自主化发展道路。本文结合产业动态与政策趋势，剖析中国AI产业的战略转型与突破路径。
在全球半导体产业链加速重构的背景下，荷兰半导体设备巨头ASM International（以下简称“ASM”）近期通过一系列战略调整引发行业关注。2025年5月15日，该公司宣布将通过转嫁关税成本、加速美国本土化生产及优化全球供应链，应对地缘政治风险与贸易壁垒。面对美国近期加征的“对等关税”政策（涵盖钢铁、汽车等商品，未来可能扩展至半导体领域），ASM展现出显著的供应链韧性：其亚利桑那州工厂即将投产，新加坡基地产能同步扩充三倍，形成“多区域制造网络”以分散风险。与此同时，中国市场成为其增长引擎——2025年中国区销售额或突破预期上限，占比达总营收的20%，凸显其在差异化竞争中的技术优势。这一系列举措不仅反映了半导体设备行业对关税政策的快速响应，更揭示了全球产业链从“效率优先”向“安全韧性”转型的深层逻辑。
在全球半导体产业长期被x86与ARM架构垄断的背景下，国产芯片厂商的生态自主化已成为关乎技术主权与产业安全的核心议题。北京君正集成电路股份有限公司作为中国嵌入式处理器领域的先行者，通过二十余年的技术迭代，探索出一条从指令集适配到生态重构的独特路径——早期依托MIPS架构实现技术积累，逐步向开源开放的RISC-V生态迁移，并创新性采用混合架构设计平衡技术过渡期的生态兼容性。这一转型不仅打破了国产芯片“被动跟随”的固有范式，更在智能安防、工业控制、AIoT等新兴领域实现了从“技术替代”到“生态定义”的跨越。据行业数据显示，其基于RISC-V内核的T系列芯片已占据计算芯片市场80%的份额，成为推动国产架构产业化落地的标杆。本文通过解析北京君正的架构演进逻辑，为国产半导体产业突破生态壁垒提供可复用的方法论。
5月15日，高通技术公司正式推出第四代骁龙7移动平台（骁龙7 Gen 4），以台积电4nm制程打造，性能迎来全方位升级。该平台采用创新的“1+4+3”八核架构，CPU性能较前代提升27%，GPU渲染效率提升30%，并首次支持终端侧运行Stable Diffusion等生成式AI模型，NPU算力增幅达65%。在影像领域，其搭载的三重12bit ISP支持2亿像素拍摄与4K HDR视频录制，配合Wi-Fi 7与XPAN无缝连接技术，重新定义中高端设备的创作边界。荣耀与vivo宣布首发搭载该平台的机型，预计本月上市，标志着生成式AI技术向主流市场加速渗透。
5月15日晚间，小米集团CEO雷军通过个人微博账号正式宣布，由旗下半导体设计公司自主研发的玄戒O1手机SoC芯片已完成研发验证，计划于本月下旬面向全球发布。据雷军透露，该芯片将采用业界领先的4nm制程工艺，核心性能指标已接近国际旗舰水平。
