拉出来遛遛! 三星Exynos 7420性能测试

发布时间:2015-04-10 阅读量:1199 来源: 我爱方案网 作者:

【导读】作为近几年颜值最高的三星手机,Galaxy S6在发布之初便收获不少好评。和S6一起出尽风头的还有位于S6之中、被誉为“最强芯”的 Exynos 7420芯片。相比骁龙810深陷“发热门”,采用三星最新14nm FinFET工艺的Exynos 7420则风光得多。外表风光的Exynos 7420里子如何,拉出来遛遛!

 在高通在去年末透露骁龙810失掉了一大重要客户之后,Exynos 7420版三星GALAXY S6的诞生就很快印证了这一点;几年来三星的旗舰机一直都以骁龙+Exynos两个版本的组合上市,并且以前者为主,而如今在大家都是公版架构处理器的情况下,拥有工艺优势的三星显然对自己的7系列处理器很有信心。

拉出来遛遛!三星Exynos 7420性能测试

作为三星旗下首个以64位AArch64运行的处理器,Exynos 7420采用A57+A53的big.LITTLE架构,其中A57的最高频率将达到2.1GHz,A53部分则为1.5GHz,集成的GPU为 Mali-T760 MP8(主频900MHz),最高内存带宽可达25.6GB/s。

拉出来遛遛!三星Exynos 7420性能测试

三星首款64位 Exynos 7420

Exynos 7420也是三星采用FinFET 3D晶体管技术和14nm制程的移动处理器,在处理器的功耗和发热上都有先天优势,其中功耗上相比上一代20nm处理器减少30~35%。

Exynos 7420 CPU性能测试

接下来来了解一下这款让三星信心满满的Exynos 7420的具体性能,以及它与主流Android处理器平台的性能比较。

拉出来遛遛!三星Exynos 7420性能测试
Basemark OS II 2.0测试

系统总评部分用到了Basemark OS II 2.0,总分方面三星Exynos 7420的表现非常强势,位于众Android旗舰机之首,与目前国内一些评测软件给出的结果相似,仅落后于采用A8X SoC的苹果iPad Air 2。

 

拉出来遛遛!三星Exynos 7420性能测试

Basemark OS II 2.0 System测试

侧重于CPU和RAM、包含CPU浮点和整数计算等测试的System一项,三星Exynos 7420的表现也依然在Android机型里拔尖,值得一提的是还甩开Exynos 5433较远;除了更高频率运行的CPU之外(Exynos 7420为大核2.1GHz 小核1.5GHz,而Exynos 5433为的大核1.9GHz 小核1.3GHz),三星Exynos 7420的14nm工艺也会为此助力不少。

拉出来遛遛!三星Exynos 7420性能测试

Basemark OS II 2.0存储测试

拉出来遛遛!三星Exynos 7420性能测试

AndroBench存储性能测试

而在存储性能测试当中,由于内存方面使用了LPDDR4 RAM、闪存方面也使用了符合UFS 2.0标准的闪存芯片,三星的得分还是当仁不让的位于Android手机之首。据称,三星新的LPDDR4 RAM与LPDDR3相比能带来高达50%的性能提升,假使延续上一代Exynos的32位双通道芯片设计,其带宽也达到了24.8GB/s,而搭配LPDDR3内存的骁龙801,其带宽为12.8GB/s,上代Exynos 5433则是13.2GB/s。这样的带宽不仅可以支持更高分辨率的屏幕,而且对于数据吞吐较大的游戏、4K视频录制等也是很有帮助的。

Exynos 7420 GPU性能测试

三星Exynos 7420的GPU也比Exynos 5433的Mali-T760MP6增加了两个Shader Core,变成了Mali-T760MP8;GPU运行频率也处于比较高的700~772MHz。接下来借助GFXBench 3.0测试一下三星Exynos 7420的GPU性能。

拉出来遛遛!三星Exynos 7420性能测试

Mali系列GPU Roadmap

拉出来遛遛!三星Exynos 7420性能测试

Mali-T760 Shader Core架构

拉出来遛遛!三星Exynos 7420性能测试

GFXBench 3.0测试

拉出来遛遛!三星Exynos 7420性能测试

GFXBench 3.0测试

拉出来遛遛!三星Exynos 7420性能测试

GFXBench 3.0测试

拉出来遛遛!三星Exynos 7420性能测试

GFXBench 3.0测试

结果可以看出,无论是高阶版的Manhattan场景还是低端一些的T-Rex HD场景,三星Exynos 7420的得分排名都是很一致的,那就是在Onscreen测试当中,受制于测试设备三星GALAXY S6 Edge屏幕2560x1440的高分辨率,Exynos 7420的Mali-T760 MP8表现要次于分辨率较低、但GPU性能强劲的设备,比如弱于同期的旗舰机HTC One M9当中骁龙810的Adreno 430。

而统一1080p分辨率之后,理论性能上Exynos 7420就仅仅落后于NVIDIA SHIELD以及谷歌Nexus 9这两款搭载NVIDIA核弹头的机型了,得分也在Manhattan以及T-Rex HD两个场景当中分别高出骁龙810的Adreno430 10和20个百分点,不过Adreno 430的运行频率也并没有700MHz这么高。

相关阅读:

双曲面侧屏三星Galaxy S6 Edge拆解报告:好看不好修

三星Galaxy S6芯片级拆解:与高通芯片说拜拜?

一探内部奥秘 三星虚拟现实头盔Gear VR拆解

相关资讯
RSA240电流检测芯片:突破-5V~100V宽压采集的国产解决方案

在工业自动化、新能源储能及多节电池管理系统中,高精度电流检测是保障系统安全与能效的核心环节。传统检测方案常受限于共模电压范围窄、抗浪涌能力弱、温漂误差大等痛点。国产RSA240系列电流检测芯片的推出,以**-5V~100V超宽共模输入范围和0.1%级增益精度**,为高压场景提供了突破性解决方案。

TMR134x磁开关芯片:高精度液位测量的工业级解决方案

在工业4.0浪潮推动下,液位测量作为过程控制的核心环节,其精度与可靠性直接影响化工、能源、汽车等关键领域的生产安全。传统霍尔传感器受限于功耗高、温漂大、响应慢等瓶颈,难以满足智能设备对实时性与稳定性的严苛要求。多维科技推出的TMR134x磁开关传感器芯片,通过隧道磁阻(TMR)技术突破传统局限,为高精度液位监测提供新一代解决方案。

英飞凌300mm GaN技术实现突破,2025年Q4交付客户样品

英飞凌科技股份公司近日宣布,其基于300mm(12英寸)晶圆的氮化镓(GaN)功率半导体量产技术已取得实质性突破,相关生产流程全面步入正轨。根据规划,首批工程样品将于2025年第四季度交付核心客户,标志着英飞凌成为全球首家在现有大规模制造体系内实现300mm GaN工艺集成的IDM(垂直整合制造)厂商。

AI浪潮推高日本芯片设备销量,2026年有望突破5万亿日元大关

日本半导体制造装置协会(SEAJ)7月3日发布修订报告,预计2025年度(2025年4月-2026年3月)日本半导体设备销售额将达48,634亿日元,同比增长2.0%,连续第二年刷新历史纪录。2024年度销售额同比暴涨29.0%至47,681亿日元,首次突破4万亿日元大关。更关键的是,2026年度销售额预计跃升至53,498亿日元(约合5.3万亿日元),年增10.0%,成为史上首个跨越5万亿日元大关的年度;2027年将进一步增长至55,103亿日元,实现连续第四年创新高。

2025年Q2中国智能手机市场:华为以12%增速重登榜首,补贴政策缩减或成下半年变数

市场研究机构Counterpoint Research最新报告显示,2025年第二季度中国智能手机市场同比小幅增长1.5%。这一温和回升主要由华为与苹果两大品牌驱动,其中华为以12%的同比增速领跑市场,时隔四年重回季度出货量第一宝座,而vivo则以9%的跌幅成为前五厂商中唯一下滑品牌。