发布时间：2015-06-9 阅读量：2197 来源: 我爱方案网 作者:
在COMPUTEX 2025大会上，联发科副董事长蔡力行以“从边缘AI到云端AI的愿景”为核心，首次系统性披露了企业未来三年的技术路线图与生态战略。通过发布全球首款5G生成式AI Gateway、深化与英伟达的芯片级合作，以及宣布2nm旗舰芯片量产计划，联发科展现了从移动终端、物联网到云端基建的全场景AI赋能能力。其“混合运算”架构以通信技术为纽带，整合端侧实时推理与云端大模型训练需求，试图构建跨设备、跨层级的协同生态，重新定义AI基础设施的全球竞争格局。
2025年5月20日，小米集团董事长雷军通过微博宣布，小米自主研发的3nm旗舰芯片“玄戒O1”已进入大规模量产阶段，并计划于5月22日发布会上推出搭载该芯片的高端旗舰手机小米15S Pro和OLED平板7 Ultra。这一突破标志着中国芯片设计能力正式跻身全球第一梯队，成为继苹果、高通、联发科之后全球第四家掌握3nm手机SoC技术的企业。
在全球汽车智能化浪潮下，车载芯片正成为产业链竞争的核心战场。国科微近期在接受机构调研时透露，公司已完成多款车规级AI芯片和SerDes芯片的研发测试，并通过ISO26262 ASIL B功能安全认证，标志着国产芯片企业在智能驾驶领域实现关键技术突破。本文将结合行业趋势与企业动态，分析其技术布局与市场前景。
全球存储产业在2025年上半年经历了显著的价格波动周期，呈现典型的"V型"复苏态势。据TrendForce最新市场监测数据显示，五大NAND Flash头部厂商（三星、SK海力士、美光、铠侠、西部数据）于二季度联合实施产能调控策略，将稼动率下调10-15个百分点，这一战略性减产措施有效缓解了市场库存压力。存储器现货价格指数显示，NAND Flash产品价格在Q2实现3-8%的环比涨幅，成功扭转连续三个季度的下行趋势。
2025年5月20日，东芝电子元件及存储装置株式会社（以下简称“东芝”）宣布推出四款650V碳化硅（SiC）MOSFET器件——TW031V65C、TW054V65C、TW092V65C和TW123V65C。这些产品基于第三代SiC MOSFET技术，采用创新的DFN8×8表贴封装，显著提升了功率密度和开关效率，主要面向工业设备中的开关电源、光伏逆变器及电动汽车充电站等高增长领域。
