详解智能仪器仪表的防雷相关技术

发布时间:2015-06-11 阅读量:734 来源: 我爱方案网 作者:

【导读】我爱方案网小编为大家介绍详解智能仪器仪表的防雷相关技术智能仪表控制系统中的工控机、各种通讯模件、安防器件以及现场测量仪表大都运用电子器件的集成电路组合,这些微电器件普遍存在绝缘强度低、耐电涌能力低等致命弱点,在雷暴季节常遭雷击的侵害,轻则造成几台仪表计算机输入输出模块部分击坏,重则造成整个装置控制系统瘫痪,被迫停工检修,造成巨大的损失。

雷电侵入途径

雷电涌侵入导致计算机与通讯故障,当电涌超过计算机的承受能力时,将出现数据乱码,芯片被击坏,甚至损坏软件系统,造成接收/输送数据中断。
详解智能仪器仪表的防雷相关技术
研究智能仪表控制系统防雷应从外部系统防雷与内部系统防雷两方面入手。外部防雷措施主要解决感应雷击对测量仪表的危害。电涌侵入途径主要有信号电缆引入感应电涌进入侧量仪表电路破坏绝缘,击穿微电元器件,造成仪表故障和直击感应雷通过表体直进仪表电路,击穿电路模件造成故障。解决措施是重新按防雷规范要求审查装置的整体避雷措施及信号通讯电缆接地,合理布线以及金属仪表箱的接地。对于重点联锁信号的保护系统应设置浪涌器;内部防雷系统主要是指智能仪表控制系统的电源防雷保护,控制显示单元、操作系统、工程师站等数据处理设备的接地,以及进出计算机信号通道防雷和局域网相关联的交换机、网卡等信号、电源的防雷措施。

预防雷击的做法

3.1改进接地系统

(l)安全保护地、控制柜、操作台、工程师站、电源柜等机壳接地都要用扁钢连接到一起。

(2)仪表信号地、计算机输入输出信号地是仪表测量的参考点,所有仪表工作电源如24V负端和此地相连构成等电位。

(3)本安地、安全栅、隔离栅、安全器等接地也要同仪表信号参考点连接到一起,构成等电位系统,接地集结在一点,电阻不能大于lΩ。

3.2暇源防浪涌

智能仪表控制系统的电源是从配电系统进入计算机主控室。电源系统是从发电厂通过变压器、配电系统最后供仪表系统使用,在雷暴天气中电源输送进由于环韦多途径长,极可能遭受雷击,因此此时的电源并不是380v或220v、50Hz交流电,而是参杂了各种杂波的浪涌电压,如果不设置防浪涌保护系统,那么使用中的电器设备会因超过耐压极限而发生事故。将总配电进来的A、B、C、D三线四相并接至电源浪涌器所相对的A、B、C、D接线柱上。在雷暴时感应雷浪涌通过电涌保护器保护将过载电流汇入大地,输出电压钳制在安全工作区内,确保电源安全运行。。

3.3信号通道电涌器

信号通道电涌器应确保正常状态下仪表各类检测信息传递准确、稳定、灵活,雷暴天气又能将过压电涌泄放到大地,钳制输出电压在安全区域,从而确保信号传输的安全。从使用效果看,安装电涌器防雷大大提高了雷暴天气下智能仪表装置的安全系数。

应用防雷产品应注意以下因素:

(l)定期检查维护智能仪表控制系统工程电源系统接地、汇流条、接地体生锈、断裂等故障,及时修理使其恢复正常,定期检测电阻(电阻应保持在1只)。如发现电阻值增高应查明原因并进行降阻。

(2)按比例对电涌器进行年检,因为电涌器长期使用,电子器材会因老化而导致动作电压下降,致使防雷参数不合格。

(3)电源防雷栅一般使用在配电系统中。有许多产品都有报警装置,一旦防雷栅过度发热,装置会自动断开,并发出光电声等报警信号。应定期检查其外观状况与泄流接地腐蚀情况。在选用电源浪涌器时要注意负载的大小,选择合适的浪涌保护器。

结语

为了使工业生产的智能仪表控制系统安全可靠运行,学习和借鉴先进的防雷措施以及选用优质的防雷产品势在必行。

相关文章

介绍中国智能电网的远程控制变电站与、分布式仪表网设计方案

高逼格,高性能的汽车仪表盘解决方案

基于总线智能仪表温度控制系统的设计

相关资讯
中国芯片产业再突破:小米自研3nm玄戒O1芯片量产开启高端化新篇章

2025年5月20日,小米集团董事长雷军通过微博宣布,小米自主研发的3nm旗舰芯片“玄戒O1”已进入大规模量产阶段,并计划于5月22日发布会上推出搭载该芯片的高端旗舰手机小米15S Pro和OLED平板7 Ultra。这一突破标志着中国芯片设计能力正式跻身全球第一梯队,成为继苹果、高通、联发科之后全球第四家掌握3nm手机SoC技术的企业。

国产芯片突围战:国科微4TOPS算力芯片如何撼动车载AI市场?

在全球汽车智能化浪潮下,车载芯片正成为产业链竞争的核心战场。国科微近期在接受机构调研时透露,公司已完成多款车规级AI芯片和SerDes芯片的研发测试,并通过ISO26262 ASIL B功能安全认证,标志着国产芯片企业在智能驾驶领域实现关键技术突破。本文将结合行业趋势与企业动态,分析其技术布局与市场前景。

从去库存到补周期:2025上半年存储市场供需拐点深度透视

全球存储产业在2025年上半年经历了显著的价格波动周期,呈现典型的"V型"复苏态势。据TrendForce最新市场监测数据显示,五大NAND Flash头部厂商(三星、SK海力士、美光、铠侠、西部数据)于二季度联合实施产能调控策略,将稼动率下调10-15个百分点,这一战略性减产措施有效缓解了市场库存压力。存储器现货价格指数显示,NAND Flash产品价格在Q2实现3-8%的环比涨幅,成功扭转连续三个季度的下行趋势。

开关损耗降低55%:解析东芝第三代SiC MOSFET的竞争优势与应用前景

2025年5月20日,东芝电子元件及存储装置株式会社(以下简称“东芝”)宣布推出四款650V碳化硅(SiC)MOSFET器件——TW031V65C、TW054V65C、TW092V65C和TW123V65C。这些产品基于第三代SiC MOSFET技术,采用创新的DFN8×8表贴封装,显著提升了功率密度和开关效率,主要面向工业设备中的开关电源、光伏逆变器及电动汽车充电站等高增长领域。

BOM成本直降30%!贸泽首发高性价比AI处理器方案

在全球智能化转型加速的背景下,贸泽电子作为全球领先的电子元器件代理商,今日宣布正式开放Renesas Electronics RZ/V2N嵌入式AI微处理器的全球供货。这款采用创新架构的处理器专为视觉AI应用场景深度优化,通过集成式异构计算方案,成功在算力密度与能效比之间取得突破性平衡,其15 TOPS的AI推理性能搭配10 TOPS/W的能效表现,为工业视觉、移动机器人等边缘计算领域带来全新解决方案。